RFLDMOS器件和制造方法技术

本发明专利技术公开了一种RFLDMOS器件，在采用钨下沉电连接的器件结构基础上，在沟道和轻掺杂扩散漂移区离子注入和热推进工艺后，在源端沟道一侧的P型重掺杂区内，离子注入一中等掺杂的P型埋层，P型埋层可降低寄生NPN管的基极电阻，使骤回效应不易发生，而漏极和沟道及埋层形成的反向二极管可以箝制住LDMOS的漏源电压，并将多余的电流下沉到基板上。本发明专利技术还公开了所述RFLDMOS器件的制造方法，在工艺实现上，本发明专利技术只是在现有工艺中增加了一步离子注入，易于实施。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路领域，特别涉及一种应用于大功率射频信号放大的RFLDMOso本专利技术还涉及所述RFLDMOS器件的制造方法。
技术介绍
RFLDMOS (Radio Frequency Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor,射频横向双扩散金属氧化物半导体)是被广泛应用在广电发射基站、移动发射基站、雷达等的具有高增益、高线性、高耐压、高输出功率的射频功率器件，其工作电压有28V和50V两种，对应的击穿电压的要求分别为70V和120V。器件的基本结构如图1所示，它是一个N型器件，较高的耐压由N型低掺杂漂移区6的长度(重掺杂N型漏端7到多晶硅栅极4边沿的距离)，以及用作场板的调节电场分布的金属法拉第杯11决定；但同时，由漏极7以及漂移区6为集电极，P型沟道5及P型电下沉连接10为基·极，源极8为发射极，形成了一个寄生的NPN管，它的发射极和基极是短接在一起并连到地电压，由于P型沟道5是通过P型下沉10连接到地的，这样就会有一个等效的基极电阻Rb，同时N型轻掺杂漂移区6和P型沟道5之间会形成一个反向的二极管，形成如图2所示的RFLDMOS的等效电路图。在RFLDMOS管正常工作时，漏极7会加上工作电压并会再加射频信号使其接近击穿电压，同时也会有大于击穿的脉冲尖峰电压，这样就需要寄生二极管的反向击穿电压和寄生三极管的骤回电压要比击穿电压大20V左右；为达到这一目标，需要二极管的反向击穿电压比RFLDMOS的击穿电压大20V以上和较小漏电，并有较低的基极电阻Rb。常见的RFLDMOS器件的骤回电压曲线如图3所示，为30V和50V LDMOS的骤回曲线，30V LDMOS的骤回点在90伏附近，50VLDMOS的骤回点在140V 150V，对于LDMOS来说，骤回点电压越大越好。常规的RFLDMOS使用长时间扩散的P型重掺杂10作为电下沉，它和P型沟道5能形成较低的Rb ;而另外一种RFLDMOS器件使用金属钨塞作电和热下沉，如图4所示，与图1相比较，不同之处在于，是将图1中的P型重掺杂10替换为金属钨塞结构11，同时增加了一个重掺杂的P型沟道。金属可降低和衬底的电阻并提升热扩散能力，但此结构的器件仍存在基极电阻Rb较大，有可能发生骤回效应，引起管子烧毁等器件耐压性失效发生。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种RFLDMOS器件，降低寄生NPN管的基极电阻，使器件具有较高的骤回电压。本专利技术所要解决的另一技术问题在于提供所述RFLDMOS器件的制造方法。为解决上述问题，本专利技术所述的RFLDMOS器件，包含在P型硅衬底上，具有轻掺杂P型外延；在轻掺杂P型外延中，具有N型轻掺杂漏极漂移区及与之抵靠接触的P型沟道区；所述N型轻掺杂漏极漂移区中，包含所述RFLDMOS器件的漏区，漏区表面具有金属硅化物引出所述RFLDMOS器件的漏极；所述P型沟道区中，包含有重掺杂P型沟道连接区及与之抵靠接触的重掺杂N型区，重掺杂N型区即所述RFLDMOS器件的源区；所述重掺杂P型沟道连接区和RFLDMOS的源区表面覆盖一层金属硅化物引出所述RFLDMOS的源极；一 P型埋层位于P型沟道区中并连接轻掺杂P型外延及重掺杂P型沟道连接区；在P型沟道区与N型轻掺杂漏极漂移区交界上方的硅表面上方具有栅氧化层，栅氧化层上覆盖多晶硅栅极及金属硅化物，多晶硅栅极及栅氧化层两端具有栅极侧墙，金属硅化物、靠漏侧的侧墙、以及漏侧侧墙与漏区金属硅化物之间的N型轻掺杂漏极漂移区上均包裹介质层，多晶硅栅极上的金属硅化物靠漏区的部分上及N型轻掺杂漏极漂移区上的介质层上均覆盖一层金属层形成金属法拉第杯层；在整个器件表面具有层间介质，在重掺杂P型沟道连接区远离漏区的一侧的轻掺杂P型外延中还具有钨塞，钨塞底部连接到P型衬底中，钨塞上部也穿通层间介质。本专利技术所述的RFLDMOS器件的制造方法，包含如下工艺步骤第I步，在P型衬底上生长P型外延；在其上方用炉管生长栅氧化层，再淀积N型重掺杂的多晶硅，或者淀积非掺杂的多晶硅再进行高剂量的N型离子注入；第2步，光刻和干法刻蚀形成多晶硅栅极，利用光刻胶盖住漏区及部分多晶硅栅极，源区和其余部分多晶硅栅极暴露，进行P型沟道离子注入；第3步，去除光刻胶，整个器件表面进行N型离子注入，然后进行高温推进形成N型沟道和N型轻掺杂漏极漂移区`；第4步，光刻打开源区P型埋层注入窗口，进行P型离子注入，形成P型埋层；第5步，制作栅极侧墙，并进行漏区和源区的离子注入，以及连接P型沟道的P型重掺杂离子注入，并进行快速热退火激活埋层、源漏极和重掺杂P型沟道连接区；第6步，打开源漏区需要金属硅化的区域，进行金属硅化工艺，在源漏和栅极形成金属硅化物；第7步，淀积一介质层和金属法拉第杯层，光刻及干法刻蚀形成法拉第杯，干法刻蚀停在介质层上；对击穿电压为120V的器件，或者采用两次同样的方法形成双层法拉第杯；第8步,淀积接触孔前介质,通过光刻和干刻打开介质层，并进一步刻蚀P型外延形成深沟槽，所述深沟槽的底部位于P型衬底中；第9步，刻蚀接触孔，淀积钛、氮化钛过渡金属以及金属钨从而形成钨下沉连接通道，即钨塞。进一步地，所述第I步中，P型衬底为重掺杂，掺杂浓度为大于102°cm_3，P型外延为轻掺杂，掺杂浓度为IO14 1016cm_3，其中P型外延的厚度每增加I U m,器件的击穿电压提高14 18V ;多晶硅掺杂离子为磷或砷，浓度大于102°cm_3。进一步地，所述第I步中，栅氧化层的厚度为120 300A,多晶硅的厚度为150U 4000A。进一步地，所述第2步中，P型沟道离子注入的注入杂质为硼，注入能量为30keV以下，注入剂量为IO12 IO14Cm'进一步地，所述第3步中，N型离子注入的注入杂质为磷，注入能量为60 200keV,注入剂量为IO11 IO13CnT2 ;高温推进的温度为900 1050°C，时间为30 180分钟。进一步地，所述第4步中，P型埋层的注入杂质为硼，注入能量为50 200keV，注入剂量为大于IO14Cm'进一步地，所述第5步中，N型源漏的注入离子为磷或砷，注入能量为30 120keV,注入剂量为大于IO15CnT2 ；P型重掺杂注入离子为硼，注入能量为30 80keV，剂量为大于IO15CnT2 ;快速热退火的温度为1000 1100°C，时间为5 30秒。进一步地，所述第7步中，介质层优选地是氧化硅层，金属层优选地是钨硅或者氮化钛。本专利技术所述的RFLDMOS器件，通过在重掺杂P型沟道连接区、P型沟道区之间注入形成P型埋层，降低了重掺杂P型沟道连接区与P型沟道区之间的串联电阻，使N型轻掺杂漏极漂移区、P型沟道区、N型源区所形成的寄生NPN管的基极电阻Rb降低，提高骤回点电压，避免器件耐压性能失效导致器件烧毁的问题发生。附图说明图1是传统RFLDMOS器件的结构示意图；图2是传统RFLDMOS器件的等效电路图；图3是RFLDMOS器件骤回点 电压曲线图；图4是传统钨塞结构的RFLDMOS器件结构示意图；图5 图13是本专利技术制造工艺步骤示意图；图14是本专利技术RFLDMOS器件的俯视图；图15是本专利技术制造工艺流程示意图。附图标记说明I是娃衬底,2是P型外延,3本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种RFLDMOS器件，其特征在于：包含：在P型硅衬底上，具有轻掺杂P型外延；在轻掺杂P型外延中，具有N型轻掺杂漏极漂移区及与之抵靠接触的P型沟道区；所述N型轻掺杂漏极漂移区中，包含所述RFLDMOS器件的漏区，漏区表面具有金属硅化物引出所述RFLDMOS器件的漏极；所述P型沟道区中，包含有重掺杂P型沟道连接区及与之抵靠接触的重掺杂N型区，重掺杂N型区即所述RFLDMOS器件的源区；所述重掺杂P型沟道连接区和RFLDMOS的源区表面覆盖一层金属硅化物引出所述RFLDMOS的源极；一P型埋层位于P型沟道区中，并连接轻掺杂P型外延及重掺杂P型沟道连接区；在P型沟道区与N型轻掺杂漏极漂移区交界上方的硅表面上方具有栅氧化层，栅氧化层上覆盖多晶硅栅极及金属硅化物，多晶硅栅极及栅氧化层两端具有栅极侧墙，金属硅化物、靠漏侧的侧墙、以及漏侧侧墙与漏区金属硅化物之间的N型轻掺杂漏极漂移区上均包裹介质层，多晶硅栅极上的金属硅化物靠漏区的部分上及N型轻掺杂漏极漂移区上的介质层上均覆盖一层金属层形成金属法拉第杯层；在整个器件表面具有层间介质，在重掺杂P型沟道连接区远离漏区的一侧的轻掺杂P型外延中还具有钨塞，钨塞底部连接到P型衬底中，钨塞上部也穿通层间介质。...

【技术特征摘要】
1.ー种RFLDMOS器件，其特征在于包含 在P型硅衬底上，具有轻掺杂P型外延； 在轻掺杂P型外延中，具有N型轻掺杂漏极漂移区及与之抵靠接触的P型沟道区；所述N型轻掺杂漏极漂移区中，包含所述RFLDMOS器件的漏区，漏区表面具有金属硅化物引出所述RFLDMOS器件的漏极； 所述P型沟道区中，包含有重掺杂P型沟道连接区及与之抵靠接触的重掺杂N型区，重掺杂N型区即所述RFLDMOS器件的源区； 所述重掺杂P型沟道连接区和RFLDMOS的源区表面覆盖ー层金属硅化物引出所述RFLDMOS的源极； 一 P型埋层位于P型沟道区中，并连接轻掺杂P型外延及重掺杂P型沟道连接区； 在P型沟道区与N型轻掺杂漏极漂移区交界上方的硅表面上方具有栅氧化层，栅氧化层上覆盖多晶硅栅极及金属硅化物，多晶硅栅极及栅氧化层两端具有栅极侧墙，金属硅化物、靠漏侧的侧墙、以及漏侧侧墙与漏区金属硅化物之间的N型轻掺杂漏极漂移区上均包裹介质层，多晶硅栅极上的金属硅化物靠漏区的部分上及N型轻掺杂漏极漂移区上的介质层上均覆盖ー层金属层形成金属法拉第杯层； 在整个器件表面具有层间介质，在重掺杂P型沟道连接区远离漏区的ー侧的轻掺杂P型外延中还具有钨塞，钨塞底部连接到P型衬底中，钨塞上部也穿通层间介质。2.根据权利要求1所述的RFLDMOS器件的制造方法，其特征在于包含如下エ艺步骤 第I步，在P型衬底上生长P型外延；在其上方用炉管生长栅氧化层，再淀积N型重掺杂的多晶硅，或者淀积非掺杂的多晶硅再进行高剂量的N型离子注入； 第2步，光刻和干法刻蚀形成多晶硅栅极，利用光刻胶盖住漏区及部分多晶硅栅极，源区和其余部分多晶硅栅极暴露，进行P型沟道离子注入； 第3歩，去除光刻胶，整个器件表面进行N型离子注入，然后进行高温推进形成P型沟道和N型轻掺杂漏极漂移区； 第4步，光刻打开源区P型埋层注入窗ロ，进行P型离子注入，形成P型埋层； 第5歩，制作栅极侧墙，并进行漏区和源区的离子注入，以及连接P型沟道的P型重掺杂离子注入，并进行快速热退火激活埋层、源漏极和重掺杂P型沟道连接区； 第6步，打开源漏区需要金属硅化的区域，进行金属硅化工艺，在源漏和栅极形...

【专利技术属性】
技术研发人员：周正良，遇寒，马彪，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：