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本发明公开了一种RFLDMOS器件，在采用钨下沉电连接的器件结构基础上，在沟道和轻掺杂扩散漂移区离子注入和热推进工艺后，在源端沟道一侧的P型重掺杂区内，离子注入一中等掺杂的P型埋层，P型埋层可降低寄生NPN管的基极电阻，使骤回效应不易发生，...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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