横向堆叠超级接面功率半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种横向堆叠超级接面功率半导体装置，包括一半导体基底；一外延堆叠结构，设于半导体基底上，外延堆叠结构包括至少一第一外延层，具有一第二导电型，及至少一第二外延层，具有第一导电型；一漏极结构，嵌入于外延堆叠结构中，且漏极结构沿着一第一方向延伸；多个栅极结构，嵌入外延堆叠结构中，并且断续的沿着第一方向延伸；一源极结构，设于多个栅极结构间；及一离子井，具有第一导电型，包围住源极结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体功率装置，特别是涉及一种横向堆叠超级接面(SuperJunction)功率半导体装置。
技术介绍
半导体功率装置常应用于电源管理的部分，例如切换式电源供应器、计算机中心或周边电源管理1C、背光板电源供应器或马达控制等等用途，其种类包含有绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor, IGBT)、金氧半场效晶体(metal-oxi de-semi conductor field-effect transistor, M0SFET)与双极型接面晶体管(bipolar junction transistor,BJT)等装置。其中，由于MOSFET可节省电能而且可以提供较快的装置切换速度，因此被广泛地应用各领域中。在公知的功率装置中，基底的设计是P型外延层和N型外延层交替设置，因此在基底中会存在有多个垂直在基底表面的PN接面，而且这些PN接面互相平行，所以又被叫做超级接面结构。在现有制作超级接面结构的技术中，是先在一第一导电型基材(如N型基材)上成长一第一导电型外延层(如N型外延层)，然后利用一第一掩模在第一导电型外延层上蚀本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种横向堆叠超级接面功率半导体装置，其特征在于包括：一半导体基底，具有一第一导电型；一外延堆叠结构，设于所述半导体基底上，所述外延堆叠结构包括至少一第一外延层，具有一第二导电型，及至少一第二外延层，具有所述第一导电型；一漏极结构，嵌入于所述外延堆叠结构中，且所述漏极结构沿着一第一方向延伸；多个栅极结构，嵌入所述外延堆叠结构中，并且断续的沿着所述第一方向延伸；一源极结构，设于所述多个栅极结构间；及一离子井，具有所述第一导电型，包围住所述源极结构。

【技术特征摘要】
2011.09.29 TW 1001352111.一种横向堆叠超级接面功率半导体装置，其特征在于包括 一半导体基底，具有一第一导电型； 一外延堆叠结构，设于所述半导体基底上，所述外延堆叠结构包括至少一第一外延层，具有一第二导电型，及至少一第二外延层，具有所述第一导电型； 一漏极结构，嵌入于所述外延堆叠结构中，且所述漏极结构沿着一第一方向延伸； 多个栅极结构，嵌入所述外延堆叠结构中，并且断续的沿着所述第一方向延伸； 一源极结构，设于所述多个栅极结构间 '及 一离子井，具有所述第一导电型，包围住所述源极结构。2.根据权利要求1所述横向堆叠超级接面功率半导体装置，其特征在于各所述栅极结构包括一栅极导电层，埋入于一栅极沟渠中，及一栅极介电层，包覆着所述栅极导电层。3.根据权利要求2所述的横向堆叠超级接面功率半导体装置，其特征在于所述源极结构包括一源极扩散区、一源极沟渠，位于所述的源极扩散区内，及一源极接触层，填满所述源极沟渠。4.根据权利要求3所述的横向堆叠超级接面功率半导体装置，其特征在于所述离子井与所述栅极导电层重叠处，与所述源极扩散区间形成一栅极通道。5.根据权利要求4所述的横向堆叠超级接面功率半导体装置，其特征在于所述的栅极通道导通时，于所述第一外延层形成一第二方向的电流路径。6.根据权利要求1所述的横向堆叠超级接面功率半导体装置，其特征在于所述第一外延层与所述第二外延层构成一平行于所述半导体基底表面的PN接面。7.根据权利要求1所述的横向堆叠超级接面功率半导体装置，其特征在于所述第一外延层与所述半导体基底直接接触。8.根据权利要求7所述的横向堆叠超级接面功率半导体装置，其特征在于所述第二外延层叠设于所述第一外延层上。9.根据权利要求1所述的横向堆叠超级接面功率半导体装置，其特征在于所述第一外延层的厚度不等于所述第二外延层的厚度。10.根据权利要求1所述的横向堆叠超级接面功率半导体装置，其特征在于所述第一外延层的厚度大于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：林永发，徐守一，吴孟韦，张家豪，
申请(专利权)人：茂达电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：