射频横向双扩散场效应晶体管及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种射频横向双扩散场效应晶体管，包括P型衬底，在所述P型衬底上生长P型外延层，在所述P型外延层中形成轻掺杂漂移区，在所述P型外延层上方设置有第一层法拉第盾及第二层法拉第盾，所述第一层法拉第盾及第二层法拉第盾为多晶硅法拉第盾。本发明专利技术能有效地降低器件的栅漏电容Cgd，从而提高器件的射频性能。本发明专利技术还公开了该晶体管的制造方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体集成电路制造器件，特别是涉及一种射频横向双扩散场效应晶体管，本专利技术还涉及该晶体管的制造方法。
技术介绍
射频横向双扩散场效应晶体管(RFLDM0S)器件是半导体集成电路技术与微波电子技术融合而成的新一代集成化的固体微波功率半导体产品，具有线性度好、增益高、耐压高、输出功率大、热稳定性好、效率高、宽带匹配性能好、易于和MOS工艺集成等优点，并且其价格远低于砷化镓器件，是一种非常具有竞争力的功率器件，被广泛用于GSM，PCS,W-CDMA基站的功率放大器，以及无线广播与核磁共振等方面。RFLDM0S器件的击穿电压BV，导通电阻Rdson，栅漏电容Cgd、栅源电容Cgs与漏源电容Cds等是衡量器件性能的重要参数。其中，栅漏电容CgcU栅源电容Cgs与漏源电容Cds和器件的射频性能紧密相关，直接影响到器件的输出功率与增益等特性。较低的栅漏电容Cgd、栅源电容Cgs与漏源电容Cds有助于提高器件的输出功率与增益。一般RFLDM0S管采用两层金属的法拉第盾(G-shield)结构，不但是为了提高器件的击穿电压BV，同时也是为了降低器件的寄生电容。如图1所示，采用掺高本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种射频横向双扩散场效应晶体管，包括P型衬底，在所述P型衬底上生长P型外延层，在所述P型外延层中形成轻掺杂漂移区，在所述P型外延层上方设置有第一层法拉第盾及第二层法拉第盾，其特征在于，所述第一层法拉第盾及第二层法拉第盾为多晶硅法拉第盾。

【技术特征摘要】
1.一种射频横向双扩散场效应晶体管，包括P型衬底，在所述P型衬底上生长P型外延层，在所述P型外延层中形成轻掺杂漂移区，在所述P型外延层上方设置有第一层法拉第盾及第二层法拉第盾，其特征在于，所述第一层法拉第盾及第二层法拉第盾为多晶硅法拉第盾。2.如权利要求1所述的射频横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，还包括位于所述P型外延层上方的栅极氧化层及多晶硅栅，位于所述P型外延层中的利用离子注入和扩散工艺分别形成的P阱、P+区域、N+源区及N+漏区，及P型多晶硅塞或金属塞结构。3.如权利要求3所述的射频横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，所述第一层法拉第盾处于所述多晶硅栅正上方的部分长度为O. 1-0. 3微米。4.如权利要求3所述的射频横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，所述第二层法拉第盾处于所述多晶硅栅正上方的部分长度为0-0. 3微米。5.一种如权利要求1所述晶体管的制造方法，其特征在于，包括 步骤1、在P型衬底上生长P型外延层；经栅极氧化层生长后，淀积多晶硅，通过光刻板定义并刻蚀出多晶硅栅，在刻蚀完成后，进行一步较高能量的轻掺杂LDD的N型离子注入，形成轻掺杂漂移区； 步骤2、P阱的形成； 步骤3、P+区域、N+源区及N+漏区的形成； 步骤4、在所述P型外延层上整体淀积一层二氧化硅层，再淀积一层重掺杂的多晶硅，对所述多晶硅通过光刻刻蚀构成第一层法拉第盾；随后，在所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：李娟娟，慈朋亮，钱文生，韩峰，胡君，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：