【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体技术，特别涉及一种RF LDMOS器件及其制造方法。
技术介绍
RF LDMOS (射频横向扩散金属氧化物半导体)器件是半导体集成电路技术与微波电子技术融合而成的新一代集成化的固体微波功率半导体产品，具有线性度好、增益高、 耐压高、输出功率大、热稳定性好、效率高、宽带匹配性能好、易于和MOS工艺集成等优点， 并且其价格远低于砷化镓器件，是一种非常具有竞争力的功率器件，被广泛用于GSM，PCS, W-CDMA基站的功率放大器，以及无线广播与核磁共振等方面。在RF LDMOS的设计过程中，要求小的导通电阻和大的击穿电压，同时由于其栅漏电容决定了截止频率的大小，因而栅漏电容也应越小越好。较高的击穿电压有助于保证器件在实际工作时的稳定性，如工作电压为50V的RF LDMOS器件，其击穿电压需要达到IlOV 以上，而导通电阻Rdson则会直接影响到器件的输出功率与增益等特性。常见的RF LDMOS器件的结构如图1所示。在P衬底I上形成有P外延10，在P外延10的左部形成有一 P阱11，右部形成有一 N型漏端轻掺杂漂移区12，所述P阱11与所述N型漏端轻...
【技术保护点】
一种RF?LDMOS器件，在P外延的右部形成有一N型漏端轻掺杂漂移区，在N型漏端轻掺杂漂移区左侧的P外延上形成有栅氧，所述栅氧上方形成有多晶硅栅，所述多晶硅栅上方、侧面及所述N型漏端轻掺杂漂移区左部上方形成有介质层，所述介质层右部上方形成有法拉第盾，所述法拉第盾为单层金属层，该单层金属层包括多晶硅部、漂移部、竖直部，竖直部在多晶硅栅右侧，竖直部上端同多晶硅部右端连通，竖直部下端同漂移部左端连通，多晶硅部的左端在多晶硅栅上方，漂移部在N型漏端轻掺杂漂移区上方，其特征在于，该单层金属层的多晶硅部正下方的介质层为氧化硅，该单层金属层的漂移部正下方的介质层包括氧化硅、氮化硅，氮化硅...
【技术特征摘要】
1.一种RF LDMOS器件，在P外延的右部形成有一 N型漏端轻掺杂漂移区，在N型漏端轻掺杂漂移区左侧的P外延上形成有栅氧，所述栅氧上方形成有多晶硅栅，所述多晶硅栅上方、侧面及所述N型漏端轻掺杂漂移区左部上方形成有介质层，所述介质层右部上方形成有法拉第盾，所述法拉第盾为单层金属层，该单层金属层包括多晶硅部、漂移部、竖直部，竖直部在多晶硅栅右侧，竖直部上端同多晶硅部右端连通，竖直部下端同漂移部左端连通，多晶硅部的左端在多晶硅栅上方，漂移部在N型漏端轻掺杂漂移区上方，其特征在于， 该单层金属层的多晶硅部正下方的介质层为氧化硅，该单层金属层的漂移部正下方的介质层包括氧化硅、氮化硅，氮化硅区域的宽度小于所述漂移部的宽度，氮化硅区域的上部接该单层金属层的漂移部，下部及两侧为氧化硅。2.根据权利要求1所述的RFLDMOS器件，其特征在于， 氮化硅区域的厚度为1000 3000埃。3.根据权利要求1所述的RFLDMOS器件，其特征在于， 氮化娃区域的宽度为O 1. 3um。4.根据权利要求1所述的RFLDMOS器件，其特征在于， 在P外延的左部形成有一 P阱，所述P阱与所述N型漏端轻掺杂漂移区不接触； 所述P阱的上部形成有一 N型源端重掺杂区； 所述N型漏端轻掺杂漂移区的右部形成有一 N型漏端重掺杂区； 所述N型漏端重掺杂区、N型源端重掺杂区的N型杂质浓度，大于N型漏端轻掺杂漂移区的N型杂质浓度； 所述N型源端重掺杂区右侧的P阱上方，及所述P阱与所述N型漏端轻掺杂漂移区之间的P外延上方，形成有所述栅氧。5.一种权利要求1所述的RF LDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤 一.形成栅氧、...
【专利技术属性】
技术研发人员：李娟娟，慈朋亮，钱文生，韩峰，董金珠，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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