LDMOS晶体管及其制作方法技术

本发明专利技术提供了一种LDMOS晶体管及其制作方法，通过在其源区、漏区之间设置多个STI结构，提高了晶体管的击穿电压，避免了STI结构宽度尺寸扩大时其底部中央区域突起的问题；在现有LDMOS晶体管制作工艺的基础上，本发明专利技术中LDMOS晶体管的制作没有增加额外的制造工艺，降低了制作的复杂程度；形成多个STI结构之后，后续的制作工艺不需变更，避免了影响位于同一半导体衬底上的其他器件某些特性的可能；也能避免影响该晶体管本身的一些特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及双扩散金属氧化物半导体领域(DMOS)，尤其是涉及一种LDOMS晶体管及其制作方法。
技术介绍
在功率应用中，由于DMOS (double-diffused metal-oxi de-semi conductor)技术采用垂直器件结构(如垂直NPN双极晶体管)，因此具有很多优点，包括高电流驱动能力、低导通电阻和高击穿电压等，专利号为200810103337的文件公开了一种耐高压的DMOS晶体管。DMOS晶体管主要有两种类型，垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管VDMOSFET (vertical double-diffused M0SFET)和横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管 LDM0SFET(lateral double-dif fused M0SFET)。与常见的场效应晶体管相比，LDMOS晶体管在关键的器件特性方面，如增益、线性度、开关性能、散热性能以及减少级数等方面具有明显的优势，因此得到了广泛应用。其中，击穿电压是LDMOS晶体管的一个重要的考量参数。现有技术中一种常见的N型LDMOS(横向双扩散金属氧化物半导体)结构如图1所示在P型半导体衬底上设有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LDMOS晶体管，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底内设有漂移区、与所述漂移区存在间距的阱区；位于所述阱区内的源区；位于所述漂移区内的漏区、至少两个STI结构，所述STI结构均位于所述漏区与所述源区之间，距离所述漏区最远的STI结构与所述漂移区的远离所述漏区的一侧存在间距；位于所述半导体衬底上的栅极，所述栅极的一侧延伸至所述源区上方，另一侧延伸至靠近所述源区的STI结构的上方。

【技术特征摘要】
1.一种LDMOS晶体管，其特征在于，包括半导体衬底，所述半导体衬底内设有漂移区、与所述漂移区存在间距的阱区；位于所述阱区内的源区；位于所述漂移区内的漏区、至少两个STI结构，所述STI结构均位于所述漏区与所述源区之间，距离所述漏区最远的STI结构与所述漂移区的远离所述漏区的一侧存在间距；位于所述半导体衬底上的栅极，所述栅极的一侧延伸至所述源区上方，另一侧延伸至靠近所述源区的STI结构的上方。2.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管，其特征在于，所述阱区内设有与所述源区接触的掺杂区，所述掺杂区设在所述源区的远离所述栅极的一侧。3.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管，其特征在于，所述源区包括轻掺杂区域、重掺杂区域，所述轻掺杂区域位于所述重掺杂区域上方，所述轻掺杂区域与所述阱区的靠近所述漂移区的一侧存在间距。4.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管，其特征在于，所述漏区仅包括重掺杂区域。5.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管，其特征在于，所述STI结构的数量为两个。6.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管，其特征在于，相邻的所述STI结构之间存在间距。7.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管，其特征在于，所述漂移区的掺杂类型与所述半导体衬底的掺杂类型相反。8.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管，其特征在于，所述阱区的掺杂类型与所述半导体衬底的掺杂类型相同。9.根据权利要求2所述的LDMOS晶体管，其特征在于，所述掺杂区的掺杂类型与所述半...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹国豪，郑大燮，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：