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本发明提供了一种LDMOS晶体管及其制作方法，通过在其源区、漏区之间设置多个STI结构，提高了晶体管的击穿电压，避免了STI结构宽度尺寸扩大时其底部中央区域突起的问题；在现有LDMOS晶体管制作工艺的基础上，本发明中LDMOS晶体管的制作没...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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