改进高压NMOS器件安全工作区的结构及其方法技术

本发明专利技术公开了一种改进高压NMOS器件安全工作区的结构及方法，包括：一个包围低压N阱LVNW的低压P阱LVPW；低压P阱LVPW上表面位于低压N阱LVNW侧面中间位置；低压P阱LVPW位于深N阱DNW中，深N阱DNW位于P型外延层中。本发明专利技术降低靠近源端PN结处电场强度，使电子、空穴碰撞几率减小，从而减少空穴电流，提高安全工作区。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件及其方法。
技术介绍
传统的高压N沟道金属氧化物半导体器件HVNM0S，通过SD和低压N阱LVNW的两种注入形成漏端，在工作时，靠近源端的PN结空间电荷区比较宽，空间电荷区在DNW端为杂质失去电子形成的带正电的杂质离子，LVPW端为失去空穴形成的带负电的杂质离子，内电场由正电区指向负电区(如下图所示)，形成的电场强度比较大，碰撞几率比较大，形成较大的空穴电流。传统的HVNMOS器件，通过SD和LVNW的两种注入形成源漏端，在工作时，靠近源端PN结处峰值电场强度较大。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种改进高压NMOS器件安全工作区的结构，它可以降低靠近源端PN结处电场强度，使电子、空穴碰撞几率减小，从而减少空穴电流，提高安全工作区。为了解决以上技术问题，本专利技术提供了一种改进高压NMOS器件安全工作区的结构，包括一个包围低压N阱LVNW的低压P阱LVPW ;低压P阱LVPW上表面位于低压N阱LVNW侧面中间位置；低压P阱LVPW位于深N阱DNW中，深N阱DNW位于P型外延层中。本专利技术的有益效果在于该结构降低靠近源端PN结处电场强度，使本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改进高压NMOS器件安全工作区的结构，其特征在于，包括：一个包围低压N阱LVNW的低压P阱LVPW；低压P阱LVPW上表面位于低压N阱LVNW侧面中间位置；低压P阱LVPW位于深N阱DNW中，深N阱DNW位于P型外延层中。

【技术特征摘要】
1.一种改进高压NMOS器件安全工作区的结构，其特征在于，包括 一个包围低压N阱LVNW的低压P阱LVPW ； 低压P阱LVPW上表面位于低压N阱LVNW侧面中间位置； 低压P阱LVPW位于深N阱DNW中，深N阱DNW位于P型外延层中。2.如权利要求1所述的改进高压NMOS器件安全工作区的结构，其特征在于，纵向结构为N型浅层注入，面密度在1E15量级和N型的深层注入，面密度在1E12量级。3.如权利要求1所述的改进高压NMOS器件安全工作区的结构，其特征在于，对高压N沟道金属氧化物半导体器件HVNM0S，P型更深层注入，面密度为1E12量级。4.如权利要求1所述的改进高压NMOS器件安全工作区的结构，其特征在于，N型注入位于N型深层注入的N阱中，N型深层注入做...

【专利技术属性】
技术研发人员：张帅，宁开明，董金珠，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：