【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于高压应用的晶体管器件，所述晶体管器件在穿通电压和源极漏极阻断电压方面得到改进。
技术介绍
与衬底绝缘的高压NMOS晶体管在P型衬底中具有深的η型凹部。体部区域嵌入到η型凹部中，所述η型凹部与漏极连接。在常规运行中，在体部上能够施加最高的电势VDD。为了不出现衬底体部穿通，在衬底和体部之间引入足够高的η型掺杂。优选在电学特性方面对体部和凹部之间的ρη结进行优化。如果体部位于衬底电势上并且漏极位于VDD上(阻断情况)，那么在体部和凹部之间的ρη结上出现沿截止方向的电压，并且相对陡的ρη结能够引起过早的击穿。研究已经证实:击穿主要出现在凹部角部上并且尤其出现在晶体管顶部上。将晶体管的下述边缘区域称作为晶体管顶部(transistor head, transistorfingertip),所述边缘区域位于电流流过通道的纵向方向的侧向。在US 7 663 203和DE 10 2005 054 672 Al中描述高压晶体管的对称结构，从中得出晶体管顶部相对于源极、漏极和通道的位置。
技术实现思路
本专利技术的目的是，提出一种具有有利的运行特性、...
【技术保护点】
一种高压晶体管器件，具有：‑具有上侧(10)的半导体衬底(1)，‑掺杂的凹部(2)，所述凹部在所述半导体衬底(1)中具有下边界面(20)，使得在所述上侧(10)和所述下边界面(20)之间存在间距(F，G)，‑体部区域(3)，所述体部区域设置在所述凹部(2)中并且在所述上侧(10)上具有边缘(7)，所述边缘具有彼此相对置的第一边缘侧(8)和彼此相对置的第二边缘侧(18)，其中所述体部区域(3)具有第一导电类型，并且其中所述凹部(2)的没有由所述体部区域(3)所占据的部分具有与第一传导类型相反的第二传导类型，‑源极区域(4)，所述源极区域在所述第二边缘侧(18)中的一个处设置在...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.12.14 DE 102011056412.81.一种高压晶体管器件，具有: -具有上侧(10)的半导体衬底(I)， -掺杂的凹部(2)，所述凹部在所述半导体衬底(I)中具有下边界面(20)，使得在所述上侧(10)和所述下边界面(20)之间存在间距(F，G)， -体部区域(3)，所述体部区域设置在所述凹部(2)中并且在所述上侧(10)上具有边缘(7)，所述边缘具有彼此相对置的第一边缘侧(8)和彼此相对置的第二边缘侧(18)，其中所述体部区域(3)具有第一导电类型，并且其中所述凹部(2)的没有由所述体部区域(3)所占据的部分具有与第一传导类型相反的第二传导类型， -源极区域(4)，所述源极区域在所述第二边缘侧(18)中的一个处设置在所述体部区域(3)中并且具有所述第二传导类型，和 -漏极区域(5)，所述漏极区域与所述源极区域(4)相对地以距所述体部区域(3) —定间距的方式在所述上侧(10)上设置在所述凹部(2)中并且具有所述第二传导类型， 其特征在于， -在所述上侧(10)和所述凹部(2)的所述下边界面(20)之间的间距(F，G)在所述体部区域(3)的所述 第一边缘侧(8)处比在所述第二边缘侧(18)处小。2.根据权利要求1所述的高压晶体管器件，其中将所述体部区域(3)的以距所述体部区域(3)的所述第一边缘侧(8) —定间距的方式存在于所述源极区域(4)和所述漏极区域(5)之间的部分设为通道区域(6)。3.根据权利要求1或2所述的高压晶体管器件，其中所述凹部(2)在所述源极区域(4)和所述漏极区域(5)之间具有降低的掺杂材料浓度。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的高压晶体管器件，其中所述第一边缘侧(8)短于所述第二边缘侧(18)。5.根据权利要求1至4中的任一项所述的高压晶体管器件，其中所述半导体衬底(I)邻近于所述凹部(2)具有所述第一传导类型。6.一种用于高压晶体管器件的制造方法，其中 -在半导体衬底(I)的上侧(10)上，借助于注入掺杂材料将第一传导...
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