【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种，包括以下步骤：提供顶部具有Si层的衬底；向Si层表层注入含有Ge元素的原子、分子、离子或等离子体，以形成SiGe层。该方法能够形成厚度较薄、质量较好的SiGe层，具有简便易行，成本较低的优点。【专利说明】
本专利技术涉及半导体薄膜制造领域，具体涉及一种。
技术介绍
随着微电子器件尺寸的不断缩小，Si材料较低的迁移率已成为制约器件性能的主要因素。为了不断提升器件的性能，必须采取措施提高器件内载流子迁移率。应变SiGe材料具有比Si高的迁移率，对于应变SiGe材料，一方面具有比Si更高的空穴迁移率，另一方面当其Ge含量超过20%时，其电子迁移率也比Si高。因此，一方面SiGe材料可以用于P-MOSFET器件的源漏区域，即形成SiGe源漏，对沟道产生单轴压应力以提升沟道内空穴迁移率，同时降低源漏串联电阻；另一方面，SiGe也可以用作MOSFET的沟道材料，利用SiGe的高迁移率特性提升器件的性能。生长SiGe薄膜材料时，通常采用的方法为化学气相淀积(CVD)工艺，其工艺复杂，质量不易控制，尤其是高Ge含量(Ge含量大于30% )、...
【技术保护点】
一种SiGe层的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：A.提供顶部具有Si层的衬底；B.向所述Si层表层注入含有Ge元素的原子、分子、离子或等离子体，以形成SiGe层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：肖磊，王敬，梁仁荣，许军，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：北京;11
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