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本发明提供一种SiGe层的形成方法，包括以下步骤：提供顶部具有Si层的衬底；向Si层表层注入含有Ge元素的原子、分子、离子或等离子体，以形成SiGe层。该方法能够形成厚度较薄、质量较好的SiGe层，具有简便易行，成本较低的优点。...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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