硅通孔的形成方法技术

一种硅通孔的形成方法，包括：提供硅衬底，所述硅衬底上形成有层间介质层和贯穿所述层间介质层、且底部位于硅衬底中的通孔；形成覆盖所述通孔底部、侧壁及层间介质层的停止层；向所述通孔中填充导电材料，去除多余导电材料至露出层间介质层；对所述硅衬底进行第一次晶圆背面磨削，直至露出停止层；对所述硅衬底进行第二次晶圆背面磨削，直至露出导电材料，形成硅通孔。本发明专利技术硅通孔的形成方法改善了现有硅通孔形成工艺中因晶圆背面磨削工艺难控制和晶圆内部形态不均匀而造成的晶圆上大量MOS晶体管失效，保持晶圆背面平整，提高了所形成硅通孔环路的良品率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域,具体的,本专利技术涉及一种娃通孔(Through SiliconVia, TSV)的形成方法。
技术介绍
随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件为了达到更快的运算速度、更大的资料存储量以及更多的功能，半导体芯片向更高集成度方向发展。而半导体芯片的集成度越高，半导体器件的特征尺寸(⑶，Critical Dimension)越小。三维集成电路是利用先进的晶片堆叠技术制备而成，其是将具不同功能的芯片堆叠成具有三维结构的集成电路(IC)。相较于二维结构的集成电路三维集成电路的堆叠技术不仅可使三维集成电路信息号传递路径缩短，更让三维集成电路的运作速度加快，且具低耗电的表现。要实现三维集成电路的堆叠技术，TSV技术是新一代使堆叠的芯片能够互连的技术。TSV技术让集成电路中芯片间的信号传递路径更短，因此三维集成电路的运作性能会更加快速，且由于没有堆叠芯片数目的限制，所以TSV技术成为目前热门的关键技术之一。参考图1，为现有工艺形成硅通孔的流程图，包括:步骤S11，利用等离子刻蚀在晶圆表面刻蚀通孔；步骤S12，采用化学气相沉积方法在通孔表面形成绝缘层；步骤S13，金本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅通孔的形成方法，其特征在于，包括：提供硅衬底，所述硅衬底上形成有层间介质层和贯穿所述层间介质层、且底部位于硅衬底中的通孔；形成覆盖所述通孔底部、侧壁及层间介质层的停止层；向所述通孔中填充导电材料，去除多余导电材料至露出层间介质层；对所述硅衬底进行第一次晶圆背面磨削，直至露出停止层；对所述硅衬底进行第二次晶圆背面磨削，直至露出导电材料，形成硅通孔。

【技术特征摘要】
1.一种硅通孔的形成方法，其特征在于，包括: 提供硅衬底，所述硅衬底上形成有层间介质层和贯穿所述层间介质层、且底部位于硅衬底中的通孔； 形成覆盖所述通孔底部、侧壁及层间介质层的停止层； 向所述通孔中填充导电材料，去除多余导电材料至露出层间介质层； 对所述硅衬底进行第一次晶圆背面磨削，直至露出停止层； 对所述硅衬底进行第二次晶圆背面磨削，直至露出导电材料，形成硅通孔。2.按权利要求1所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，所述停止层的材质为氮化硅。3.按权利要求1所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，所述覆盖通孔底部停止层的厚度在2000 4000A的范围内。4.按权利要求1所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，所述多余导电材料通过CMP工艺去除。5.按权利要求1所述的硅通孔的形成方法，其特征在于，形成所述覆盖通孔底部、侧壁及层间介质层的停止层之前还包括形成覆盖所述通孔底部、侧壁及层间介质层的刻蚀停止层；向所述通孔中填充导电材料，去除多余导电材料至露出层间介质层之前还包括:向所述通孔填充保护层，所述保护层覆盖...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋莉，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：