半导体结构及其形成方法技术

一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构包括：半导体衬底；位于半导体衬底表面的金属层；位于所述金属层表面的介质层；位于所述金属层表面、所述介质层内的互连结构；位于所述金属层表面、所述介质层内的空气间隙，所述空气间隙具有上窄下宽的结构。本发明专利技术实施例的半导体结构形成方法半导体制程兼容性好，制造过程简单，本发明专利技术实施例的半导体结构性能优良。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种。
技术介绍
随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件为了达到更快的运算速度、更大的资料存储量以及更多的功能，半导体芯片向更高集成度方向发展。而半导体芯片的集成度越高，半导体器件的特征尺寸(⑶，Critical Dimension)越小。随着特征尺寸⑶的逐渐减小，阻抗电容延迟(RC延迟)对器件运行速度的影响越来越明显，如何减小RC延迟是本领域技术人员研究的热点问题之一。而解决RC延迟的方法之一就是减小金属导线之间的寄生电容。现有技术中，发展了多种减小寄生电容的方法，例如，在金属导线之间填充多孔低K介质材料等。但是多孔材料易碎，采用多孔低K介质材料的半导体器件的可靠性较差。现有技术中还发展了一种在金属导线之间形成空气间隙，由于空气的介电常数(k)为1.0，采用空气间隙能够减小介电常数，进而减小寄生电容，现有技术形成空气间隙的方法包括:请参考图1，提供半导体衬底100 ;形成覆盖所述半导体衬底100的刻蚀停止层101 ;形成覆盖所述刻蚀停止层101的层间介质层103 ;形成位于所述层间介质层103表面的图形化的光刻胶层105 ；请参考图2，以所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有金属层；在所述金属层表面形成至少为两个牺牲凸起，所述牺牲凸起的截面为梯形或三角形；形成覆盖所述牺牲凸起的介质层；在所述牺牲凸起之间的介质层内形成暴露出金属层的开口；在所述介质层表面形成填充所述开口的金属薄膜；平坦化所述金属薄膜直至暴露出所述牺牲凸起；去除所述牺牲凸起形成空气间隙。

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于， 提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有金属层； 在所述金属层表面形成至少为两个牺牲凸起，所述牺牲凸起的截面为梯形或三角形； 形成覆盖所述牺牲凸起的介质层； 在所述牺牲凸起之间的介质层内形成暴露出金属层的开口； 在所述介质层表面形成填充所述开口的金属薄膜； 平坦化所述金属薄膜直至暴露出所述牺牲凸起； 去除所述牺牲凸起形成空气间隙。2.按权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲凸起的侧壁倾斜角度为80度至89度。3.按权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲凸起的形成步骤为: 在所述金属层表面形成牺牲层； 在所述牺牲层内形成暴露金属层的第一开口，所述第一开口具有倾斜侧壁； 在所述第一开口内填充掩膜层； 以所述掩膜层为掩膜， 刻蚀所述牺牲层，形成牺牲凸起。4.按权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一开口的倾斜侧壁倾斜角度为80度至89度。5.按权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掩膜层的材料为氮化娃、氮化钛，或无定形碳。6.按权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲍宇，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：