一种半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成绝缘层，且在所述绝缘层中形成铜金属互连线；在所述绝缘层以及铜金属互连线上形成一金属层，并在所述金属层上形成一掩膜；采用同步脉冲等离子体蚀刻所述金属层，形成一图案化的金属层并露出所述铜金属互连线。根据本发明专利技术，可以减轻蚀刻稀疏的金属线条区与密集的金属线条区之间的金属层时出现的金属线条侧壁负载蚀刻过程所产生的残余物质的问题，更加稳定地完成图形转移的过程。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造工艺，具体而言涉及一种用于稀疏的金属线条区与密集的金属线条区之间的金属层的蚀刻方法。
技术介绍
在半导体制造工艺中，出于不同的需要，所形成的金属线条有稀疏(ISO)与密集(dense)之分。在多层金属互连工艺中，需要蚀刻稀疏的金属线条区104与密集的金属线条区105之间的金属层，以使下方的接触孔103暴露出来，如图1A所示，用于同上方的金属层形成接触。所述接触孔103位于形成在半导体衬底101上的绝缘层102中，其中填充有互连金属。在所述蚀刻过程中，由于所述稀疏的金属线条区104的侧壁角度与所述密集的金属线条区105的侧壁角度不同，因而造成所述金属线条的侧壁残留大量的蚀刻过程所产生的残余物质，如聚合物等，即侧壁负载106，如图1B所示。上述问题是传统的干法蚀刻工艺所不能避免的，由此将导致所述接触的不良。因此，需要提出一种方法，以解决上述问题。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术提供，包括:提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成绝缘层，且在所述绝缘层中形成铜金属互连线；在所述绝缘层以及铜金属互连线上形成一金属层，并在所述金属层上形成一掩膜；采用同步脉冲等本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成绝缘层，且在所述绝缘层中形成铜金属互连线；在所述绝缘层以及铜金属互连线上形成一金属层，并在所述金属层上形成一掩膜；采用同步脉冲等离子体蚀刻所述金属层，形成一图案化的金属层并露出所述铜金属互连线。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，包括: 提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成绝缘层，且在所述绝缘层中形成铜金属互连线； 在所述绝缘层以及铜金属互连线上形成一金属层，并在所述金属层上形成一掩膜； 采用同步脉冲等离子体蚀刻所述金属层，形成一图案化的金属层并露出所述铜金属互连线。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述绝缘层为具有低介电常数的材料层。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜为金属硬掩膜层。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜由依次层叠的三层材料组成。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述依次层叠的三层材料为无定形碳、含硅的...

【专利技术属性】
技术研发人员：张海洋，周俊卿，张城龙，胡敏达，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：