【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种晶圆表面平坦化的方法，具体是一种。
技术介绍
目前，TSV垂直互连技术在微电子封装领域的运用已越来越广泛，而TSV电镀铜填孔技术是TSV制程不可缺少的环节，由于各添加剂的配比及工艺设置等因素的影响，电镀后晶圆表面可能会存在局部过电镀，导致表面铜层厚度不一，给后续的CMP (减薄抛光)工艺带来很大麻烦。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种，改善电镀后晶圆表面的平坦性。按照本专利技术提供的技术方案，所述的为:将晶圆正面朝下水平放置，与腐蚀液相对，晶圆正面是一层过电镀的铜层，过电镀的铜层表面有铜包；将晶圆竖直向下移动到过电镀铜层距离腐蚀液面I毫米处后，再以0.05、.2mm/s的速度向下移动直到铜包完全浸没在腐蚀液里；保持晶圆和腐蚀液静止，直至铜包被腐蚀掉；再以0.05、.2mm/s的速度向上提起晶圆I毫米，使晶圆脱离腐蚀液。将晶圆竖直向下移动时以大于0.2mm/s的速度将晶圆竖直向下移动到过电镀铜层距离腐蚀液面I毫米处。将晶圆向上提起I毫米后，以大于0.2mm/s的速度将晶圆移开液面。移动过程中，晶圆的倾斜度要求〈0.005°。本专利技术的优点是:通过机电设备精确控制晶圆表面与腐蚀液液面的距离，通过化学刻蚀去除晶圆表面突出部分。其工艺原理简单，操作简便。附图说明图1是本方法初始状态示意图。图2是晶圆浸入腐蚀液的状态示意图。图3是腐蚀完毕晶圆离开腐蚀液的状态示意图。具体实施例方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步说明。本专利技术基于液面的平整性和化学腐蚀铜的思想，提出了一种通过湿法局部腐蚀来达到晶圆平坦化的方...
【技术保护点】
倒置浸入式晶圆平坦化的方法，其特征是：将晶圆正面朝下水平放置，与腐蚀液相对，晶圆正面是一层过电镀的铜层，过电镀的铜层表面有铜包；将晶圆竖直向下移动到过电镀铜层距离腐蚀液面1毫米处后，再以0.05~0.2mm/s的速度向下移动直到铜包完全浸没在腐蚀液里；保持晶圆和腐蚀液静止，直至铜包被腐蚀掉；再以0.05~0.2mm/s的速度向上提起晶圆1毫米，使晶圆脱离腐蚀液。
【技术特征摘要】
1.倒置浸入式晶圆平坦化的方法，其特征是:将晶圆正面朝下水平放置，与腐蚀液相对，晶圆正面是一层过电镀的铜层，过电镀的铜层表面有铜包；将晶圆竖直向下移动到过电镀铜层距离腐蚀液面I毫米处后，再以0.05、.2mm/s的速度向下移动直到铜包完全浸没在腐蚀液里；保持晶圆和腐蚀液静止，直至铜包被腐蚀掉；再以0.05、.2mm/s的速度向上提起晶圆I毫米，使晶圆脱离腐蚀液。...
【专利技术属性】
技术研发人员：于大全，程万，伍恒，
申请(专利权)人：江苏物联网研究发展中心，
类型：发明
国别省市：
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