一种可避免空洞的电镀铜的方法技术

本发明专利技术涉及半导体制造领域，具体来说是一种可避免空洞的电镀铜的方法。包括以下步骤：在晶圆上刻蚀出需要填充的沟槽；在所述沟槽的表面以及晶圆的上表面添加添加剂；使用4～5安培的电流对所述沟槽通过电镀方式填充铜，填充过程中所述晶圆的转速为85～95转每分钟，填充时间为5～6秒，填充铜的厚度为130～140埃；分三步对所述沟槽以不同大小的电流通过电镀方式填充不同厚度的铜；淀积：使用41～42安培的电流对所述沟槽通过电镀方式填充铜，填充过程中所述晶圆的转速为10～14转每分钟，填充时间为10～14秒，填充铜的厚度为3510～3520埃。本发明专利技术能防止在电镀的过程中产生空洞以及过早封口。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，具体来说是。
技术介绍
在半导体的制造领域，通常采用电镀铜工艺进行互连，导通逻辑晶圆与像素晶圆，由于深槽的深宽比大，对填充能力要求严格，传统工艺极易形成空洞，传统工艺电镀铜填充的透射电子显微镜(TEM:Transmissionelectron microscope)图，如图1所示，可以明显看到槽内的空洞，而空洞会对传感器的可靠性产生影响，背照式影像传感器最新工艺的电镀铜填充工艺在填充铜的过程中，存在空隙问题，影响后续工艺的进行，迫切需要解决。目前还没有方法能避免在电镀铜工艺中空洞的产生。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供种可避免空洞的电镀铜的方法解决上述问题。本专利技术解决上述技术问题的技术方案如下:，包括以下步骤:步骤101，在晶圆上刻蚀出需要填充的沟槽；步骤102，在所述晶圆的上表面添加平坦剂，在所述沟槽的底部添加加速剂，在所述沟槽上部的拐角处添加抑制剂；步骤103，使用4 5安培的电流对所述沟槽通过电镀方式填充铜，填充过程中所述晶圆的转速为85 95转每分钟，填充时间为5 6秒，填充铜的厚度为130 140埃(I埃=0.1纳米)；步骤本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可避免空洞的电镀铜的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，在晶圆上刻蚀出需要填充的沟槽；步骤二，在所述晶圆的上表面添加平坦剂，在所述沟槽的底部添加加速剂，在所述沟槽上部的拐角处添加抑制剂；步骤三，种籽修复：使用4～5安培的电流对所述沟槽通过电镀方式填充铜，填充过程中所述晶圆的转速为85～95转每分钟，填充时间为5～6秒，填充铜的厚度为130～140埃；步骤四，填充：使用6～7安培的电流对所述沟槽通过电镀方式填充铜，填充过程中所述晶圆的转速为85～95转每分钟，填充时间为85～95秒，填充铜的厚度为3265～3275埃；步骤五，填充：使用13～14安培的电流对所述沟槽通过电镀方式填充铜，填...

【技术特征摘要】
1.一种可避免空洞的电镀铜的方法，其特征在于，包括以下步骤: 步骤一，在晶圆上刻蚀出需要填充的沟槽； 步骤二，在所述晶圆的上表面添加平坦剂，在所述沟槽的底部添加加速剂，在所述沟槽上部的拐角处添加抑制剂； 步骤三，种籽修复:使用4 5安培的电流对所述沟槽通过电镀方式填充铜，填充过程中所述晶圆的转速为85 95转每分钟，填充时间为5 6秒，填充铜的厚度为130 140埃； 步骤四，填充:使用6 7安培的电流对所述沟槽通过电镀方式填充铜，填充过程中所述晶圆的转速为85 95转每分钟，填充时间为85 95秒，填充铜的厚度为3265 3275埃； 步骤五，填充:使用13 14安培的电流对所述沟槽通过电镀方式填充铜，填充过程中所述晶圆的转速为85 95转每分钟，填充时间为115 125秒，填充铜的厚度为8715 8725 埃； 步骤六:填充:使用25 29安培的电流对所述沟槽通过电镀方式填充铜，填充过程中所述晶圆的转速为85 95转每分钟，填充时间为25 35秒，填充铜的厚度为4355 4365埃； 步骤七，淀积:使用41 42安培的电流对所述沟槽通过电镀方式填充铜，填充过程中所述晶圆的转速为10 14转每分钟，填充时间为10 14秒，填充铜的厚度为3510 3520埃。2.根据权利要求1所述的一种可避免空洞的电镀铜的方法，其特征在于，种籽修复:使用4.5安培的电流对所述沟槽通过电镀方式填充铜，填充过程中所述晶圆的转速为90转每分钟，填充时间为5.5秒，填充铜的厚度...

【专利技术属性】
技术研发人员：李平，
申请(专利权)人：陆伟，
类型：发明
国别省市：