铜电镀薄膜方法技术

一种铜电镀薄膜方法，包括：先在阻挡层上沉积铜籽晶层，然后再在该铜籽晶层上以电化学电镀方法生长出电镀铜薄膜层；其特征是：该方法在上述两步骤之间还包括对铜籽晶层进行表面处理的步骤。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种可对铜籽晶层进行表面处理的。
技术介绍
在半导体铜(Cu)布线工艺中，为了进行铜薄膜的电镀，首先需要在阻挡层上沉积一层薄的铜籽晶层，然后再在Cu籽晶层上以电化学电镀(ECP)方法来生长出一层Cu薄膜层。图1是半导体晶圆上的阻挡层、铜(Cu)籽晶层及Cu电镀薄膜的结构示意图；当然，在实际生产中，半导体晶圆上往往包含有成千上万的元器件或多层结构，本专利技术为说明问题，只是举了带有一个介层洞的例子。请看图1所示，半导体晶圆的氧化硅层100上有一个介层洞110，首先通过物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)制程生长出阻挡层101，其成分比如是钽(Ta)；然后需要在阻挡层101上同样以PVD制程沉积一层薄的铜籽晶层102，一般约为100至150nm；最后再在Cu籽晶层102上以电化学电镀(Electrical Chemical Plating，ECP)方法来生长出期望厚度的Cu薄膜层103。图2给出了制备Cu电镀薄膜方法的流程图，首先用PVD制程生长阻挡层和Cu籽晶层、然后再在Cu籽晶层上用ECP制程生长Cu薄本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铜电镀薄膜方法，包括先在阻挡层上沉积铜籽晶层，然后再在该铜籽晶层上以电化学电镀方法生长出电镀铜薄膜层；其特征是该方法在上述两步骤之间还包括对铜籽晶层进行表面处理的步骤。2.如权利要求1所述的方法，其特征是所述表面处理的步骤是用含有氧气的气体冲刷Cu籽晶层。3.如权利要求2所述的方法，其特征是所述气体是空气、或水蒸气、或空气和水蒸气的混合气体。4.如权利要求1所述的方法，其特征是所述表面处理的步骤是对Cu籽晶进行退火处理。5.如权利要求4所述的方法，其特征是所述退火处理是在低于180℃的温度范围内进行。6....

【专利技术属性】
技术研发人员：张开军，职春星，徐根保，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：