【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种静电放电保护装置(ESD Protection device)的制造方法，尤其涉及一种在集成电路中作为静电放电保护的硅控整流器(silicon controlled rectifier，SCR)的制造方法。
技术介绍
在集成电路领域中，硅控整流器结构广泛被使用于静电放电保护的装置组件，此硅控整流器的主要特征在于其电压夹持特性(Voltage holding characteristic)。在电压夹持区域，硅控整流器可承受一非常高的电流，而同时夹持横跨其本身之一低电位电压。因此，类似硅控整流器结构的组件在集成电路中非常适合用于导引一高电流，例如瞬间静电放电所产生的电流。作为静电放电保护用的硅控整流器系已经发展十余年了，其基本结构如图1所示，其应用原理说明则如图2所示，当一静电放电事件发生在一输入端的垫片(Pad)时，此横向硅控整流器将被触发(trigger)，并进入骤转区域(snapback region)，如图3所示。在此骤转区域中，此横向硅控整流器将夹持横跨其本身之一低电位电压并维持一高电流，因此，此静电放电电流可有效地导引出去。在先进集成...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种作为静电放电保护的硅控整流器的制造方法，其特征在于，包括下列步骤提供一半导体基底，其上可形成一隔离结构，以定义出主动区域；在该半导体基底的主动区域内形成有一第一导电型掺杂井及一第二导电型掺杂井；利用高压离子注入方式，在该第一导电型掺杂井与该第二导电型掺杂井中分别形成同型的高掺质浓度的第一埋入式掺杂区与第二埋入式掺杂区；及在该第一导电型掺杂井中形成一N型离子掺杂区及一P型离子掺杂区，且在该第二导电型掺杂井中亦形成有一N型离子掺杂及一P型离子掺杂区。2.根据权利要求1所述作为静电放电保护的硅控整流器的制造方法，其特征在于，其中该隔离结构为浅沟渠隔离结构。3.根据权利要求1所述作为静电放电保护的硅控整流器的制造方法，其特征在于，其中该第一导电型掺杂井为N型掺杂井，且该第一埋入式掺杂区为N型埋入式掺...
【专利技术属性】
技术研发人员：高荣正，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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