【技术实现步骤摘要】
本技术设及静电防护，尤其是设及一种静电防护电路及其二极管触发保持可 控娃整流器。
技术介绍
随着半导体工艺尺寸的不断缩小W及面对日益复杂的应用环境，集成电路(IC)受 到静电放电化SD)损坏的威胁越来越大。静电放电过程的瞬态电流可W达到几安培乃至数 十安培，倘如果有相应的ESD防护措施或者防护不足，很容易造成忍片的永久性失效或者潜 在性失效。对于汽车电子来说，运可能是W生命为代价的。据数据统计，37%的IC失效是由 于ESD造成的，每年造成对半导体工业造成的损失W数十亿美元计。因此提高IC的片上静电 防护能力对忍片的可靠性有着重大的意义。 ESD防护器件在电路中作用是当ESD事件来临时，器件迅速导通W形成一个低阻放 电通路来泄放ESD电流，同时将器件上的电压错制在一个较低的水平，W避免击穿内部忍 片。而当ESD事件消失时，此器件迅速关闭，处于一个高阻区，W避免。对内部电路造成影响。 典型ESD器件的电流-电压曲线如图1所示。忍片正常工作时，ESD器件处于关闭状 态，此时其等效状态相当于断路；当ESD器件上的电压逐渐增大到Vtl之后，其开始导通，并 且...
【技术保护点】
一种用于静电防护的二极管触发保持可控硅整流器，具有阳极端和阴极端且其特征在于包括第一三极管、第二三极管、第一电阻、第二电阻、二极管、第一二极管串以及第二二极管串，该第一二极管串的阳极连接该二极管触发保持可控硅整流器的阳极端，该第一二极管串的阴极连接该第一三极管的发射极，该第一电阻和该二极管连接在该第一三极管的发射极和基极之间，该第二三极管的集电极连接该第一三极管的基极，该第二三极管的基极连接该第一三极管的集电极，该第二三极管的发射极连接该二极管触发保持可控硅整流器的阴极端，该第二电阻连接该第二三极管的基极和该二极管触发保持可控硅整流器的阴极端，该第二二极管串的阳极连接该第一...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：朱瑞，陈晓峰，李建峰，
申请(专利权)人：大唐恩智浦半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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