具有双重图案化金属层结构的位格制造技术

本发明专利技术涉及具有双重图案化金属层结构的位格，揭示一种用于提供具有双重图案化金属层结构的SRAM位格的方法。具体实施例包括：经由第一图案化制程，提供字线结构、接地线结构、电源线结构或彼等的组合；以及经由第二图案化制程，提供紧邻该字线结构、该接地线结构、该电源线结构或彼等的组合的位线结构。具体实施例包括：提供作为该字线结构的第一接着垫，以及作为该接地线结构的第二接着垫；以及提供有第一端边及第一侧边的该第一接着垫，以及有第二端边及第二侧边的该第二接着垫，其中该第一侧边面向该第二侧边。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】具有双重图案化金属层结构的位格 本申请是申请号为201310410115.3，申请日为2013年09月10日，专利技术名称为“具有双重图案化金属层结构的位格”的中国专利申请的分案申请。
本揭示内容有关于微型化静态随机存取内存(SRAM)位格的制造。本揭示内容尤其可应用于可超越20奈米(nm)技术节点(例如，14奈米及其它技术节点)的SRAM位格。
技术介绍
随着技术进步，以及持续缩减晶体管装置的尺寸，越来越难以维持用于制造半导体装置的设计的光刻可印性。例如，图1A中的习知SRAM位格100包含用于字线的金属接着垫(landing pad) 101、用于接地线的金属接着垫103、以及金属位线结构105以及金属2层结构107。此外，位格100包含主动区触点109、金属触点111、以及用于完成与金属层结构101、103及105关连的各种互连的通孔1结构113以及金属2层结构107。不过，位格100可能难以印在晶圆上，因为位格100中颜色相同(或图案化)的金属结构彼此太接近。如图标，例如，字线接着垫101可能太靠近接地线接着垫103，以及接着垫101、103可能太靠近位线结构本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器装置，包含：具有第一端边及第一侧边的至少一个字线结构；具有第二端边及第二侧边的至少一个接地线结构；至少一个电源线结构；以及紧邻该至少一个字线结构、该至少一个接地线结构及该至少一个电源线结构的至少一个位线结构；该至少一个字线结构、该至少一个接地线结构、该至少一个电源线结构及该至少一个位线结构一并提供至少一个双重图案化金属层结构，其中，该至少一个双重图案化金属层结构连接于主动区及栅极触点；其中，该第一侧边面向该第二侧边；其中，该第一端边垂直于该第一侧边且该第二端边垂直于该第二侧边；以及其中，该至少一个位线结构具有第三端边与第三侧边，以及该第一及该第二端边平行于该第三侧边。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：J·金，M·拉希德，
申请(专利权)人：格罗方德半导体公司，
类型：发明
国别省市：开曼群岛;KY