在非平坦硅表面上的应力松弛缓冲层制造技术

本发明专利技术涉及在非平坦硅表面上的应力松弛缓冲层，具体提供一种形成应力松弛缓冲(SRB,Stress Relaxed Buffer)层于非平坦的或开槽的硅(Si)表面上的方法及其装置。实施例包含形成非平坦表面于硅晶圆的上表面中；外延生长低温晶种层于该硅晶圆的该非平坦表面上；沉积应力松弛缓冲层于该低温晶种层上方；以及平坦化该应力松弛缓冲层的上表面。

Stress relaxation buffer layer on non flat silicon surface

【技术实现步骤摘要】
在非平坦硅表面上的应力松弛缓冲层本申请是申请号为201610511090.X、申请日为2016年6月30日、专利技术名称为“在非平坦硅表面上的应力松弛缓冲层”的中国专利申请的分案申请。
本专利技术揭示关于半导体装置的制造。尤其，本专利技术揭示关于使用于在14纳米、10纳米、7纳米、5纳米及3纳米技术节点中制造半导体装置的应力松弛缓冲(SRB,StressRelaxedBuffer)层。
技术介绍
使用硅(Si,Silicon)晶圆时，具有不同的晶格常数(latticeconstant)及热膨胀系数(thermalcoefficient)的不同半导体材料的外延生长会造成缺陷的产生，诸如产生差排(dislocation)缺陷而接着导致不良的晶体管效能及可靠度问题。具有应力松弛缓冲层的基板，包含阶梯式(stepped)或渐变式(graded)的砷化镓(GaAs,GalliumArsenide)或硅锗(SiGe,SiliconGermanium)，是有用于达到应力松弛。然而，该应力松弛层是厚的(例如，2微米至2.5微米之间的范围)并且因此昂贵。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造半导体装置的方法，该方法包括：/n在硅(Si)晶圆的上表面中形成非平坦表面或V型凹槽表面，其中，在该硅晶圆的该上表面上形成该非平坦表面或V型凹槽表面的步骤包含：/n通过蚀刻随机形成锥体在该硅晶圆的该上表面中；/n于温度范围在400℃及700℃之间在该硅晶圆的该非平坦表面上外延生长低温晶种层；/n沉积应力松弛缓冲(SRB)层在该低温晶种层上方，以便将缺陷局部地限制在该非平坦表面或V型凹槽表面上的该锥体的沟槽的底部处；以及/n平坦化该应力松弛缓冲层的上表面。/n

【技术特征摘要】
20150713 US 14/797,5311.一种制造半导体装置的方法，该方法包括：
在硅(Si)晶圆的上表面中形成非平坦表面或V型凹槽表面，其中，在该硅晶圆的该上表面上形成该非平坦表面或V型凹槽表面的步骤包含：
通过蚀刻随机形成锥体在该硅晶圆的该上表面中；
于温度范围在400℃及700℃之间在该硅晶圆的该非平坦表面上外延生长低温晶种层；
沉积应力松弛缓冲(SRB)层在该低温晶种层上方，以便将缺陷局部地限制在该非平坦表面或V型凹槽表面上的该锥体的沟槽的底部处；以及
平坦化该应力松弛缓冲层的上表面。


2.根据权利要求1所述的方法，其中该平坦化包括：
以化学机械研磨(CMP)平坦化该应力松弛缓冲层的该上表面。


3.根据权利要求1所述的方法，还包括：
外延生长该低温晶种层至10纳米至40纳米的厚度。


4.根据权利要求1所述的方法，其中，该锥体具有低于200纳米的深度。


5.根据权利要求1所述的方法，其中，该低温晶种层包括锗(Ge)、磷化铟(InP)或砷化镓(GaAs)。


6.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在...

【专利技术属性】
技术研发人员：B·J·帕夫拉克，
申请(专利权)人：格罗方德半导体公司，
类型：发明
国别省市：开曼群岛;KY