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本发明涉及在非平坦硅表面上的应力松弛缓冲层，具体提供一种形成应力松弛缓冲(SRB,Stress Relaxed Buffer)层于非平坦的或开槽的硅(Si)表面上的方法及其装置。实施例包含形成非平坦表面于硅晶圆的上表面中；外延生长低温晶种层...
该专利属于格罗方德半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过格罗方德半导体公司授权不得商用。

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