冷却晶圆的方法、装置和半导体处理设备制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种冷却晶圆的方法、装置和半导体处理设备。包括：步骤S110、实时获取已完成工艺且待冷却的当前晶圆与正在进行工艺的制程晶圆的工艺时间差值；步骤S120、基于工艺时间差值与冷却气体流量值之间的预设函数关系式，通过实时工艺时间差值获得当前晶圆的实时冷却气体流量值；步骤S130、根据实时冷却气体流量值向当前晶圆提供对应的冷却气体流量值的冷却气体，以在制程晶圆完成工艺之时或在制程晶圆完成工艺之前，使得当前晶圆恰好冷却至预设温度，并停止向当前晶圆提供冷却气体；当制程晶圆转变为已完成工艺且待冷却的当前晶圆时，正在进行工艺的下一个晶圆作为制程晶圆，重复执行步骤S110至步骤S130。可以提高机台的工作效率，降低冷却成本。

Methods, devices and semiconductor processing equipment for cooling wafers

【技术实现步骤摘要】
冷却晶圆的方法、装置和半导体处理设备
本专利技术涉及半导体制造
，具体涉及一种冷却晶圆的方法、一种冷却晶圆的装置以及一种半导体处理设备。
技术介绍
一般地，在集成电路(IntegratedCircuit，IC)的制造工艺中，金属刻蚀机是必不可少的设备。一般金属全自动离子体刻蚀设备包含以下八个腔室：晶圆加载/卸载腔室、晶圆传送腔室、晶圆校准腔室、两个金属反应腔室、两个去胶腔室、一个冷却腔室。晶圆传送腔室，负责将待工艺的晶圆传送至金属反应腔室，金属刻蚀工艺结束后，晶圆传送腔室将晶圆传送到去胶腔室，去胶刻蚀工艺结束后，晶圆传送腔室将晶圆传送到冷却腔室，冷却腔室冷却结束后，将结束后的晶圆传递回晶圆加载/卸载腔室。冷却腔室是晶圆工艺制程必不可少的一个腔室，这是因为，晶圆在去胶腔室内完成去胶工艺之后温度很高，不能直接放进片盒中，需要进入冷却腔室进行冷却，由于传输平台的工位数限制，一个冷却腔室需要冷却两个或者多个去胶腔室的晶圆，因此，冷却腔室的效率对机台的工艺效率有至关重要的作用。相关技术中，冷却腔室内的基座设置有冷却水循环系统本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种冷却晶圆的方法，其特征在于，包括：/n步骤S110、实时获取已完成工艺且待冷却的当前晶圆与正在进行工艺的制程晶圆的工艺时间差值；/n步骤S120、基于所述工艺时间差值与冷却气体流量值之间的预设函数关系式，通过实时工艺时间差值获得所述当前晶圆的实时冷却气体流量值；/n步骤S130、根据所述实时冷却气体流量值向所述当前晶圆提供对应的冷却气体流量值的冷却气体，以在所述制程晶圆完成工艺之时或在所述制程晶圆完成工艺之前，使得所述当前晶圆恰好冷却至预设温度，并停止向所述当前晶圆提供所述冷却气体；/n当所述制程晶圆转变为已完成工艺且待冷却的当前晶圆时，正在进行工艺的下一个晶圆作为所述制程晶圆，重复执...

【技术特征摘要】
1.一种冷却晶圆的方法，其特征在于，包括：
步骤S110、实时获取已完成工艺且待冷却的当前晶圆与正在进行工艺的制程晶圆的工艺时间差值；
步骤S120、基于所述工艺时间差值与冷却气体流量值之间的预设函数关系式，通过实时工艺时间差值获得所述当前晶圆的实时冷却气体流量值；
步骤S130、根据所述实时冷却气体流量值向所述当前晶圆提供对应的冷却气体流量值的冷却气体，以在所述制程晶圆完成工艺之时或在所述制程晶圆完成工艺之前，使得所述当前晶圆恰好冷却至预设温度，并停止向所述当前晶圆提供所述冷却气体；
当所述制程晶圆转变为已完成工艺且待冷却的当前晶圆时，正在进行工艺的下一个晶圆作为所述制程晶圆，重复执行所述步骤S110至所述步骤S130。


2.根据权利要求1所述的冷却晶圆的方法，其特征在于，所述预设函数关系式满足下述公式：
F＝-1*107*T6+4×105*T5-0.0046*T4+0.286*T3-8.8449*T2+108.12*T+184.51
其中，F为所述冷却气体流量值，T为所述工艺时间差值。


3.根据权利要求2所述的冷却晶圆的方法，其特征在于，F的取值范围满足：0sccm≤F≤500sccm，T的取值范围满足：18s≤T≤90s。


4.根据权利要求1至3中任意一项所述的冷却晶圆的方法，其特征在于，所述冷却气体包括氮气和/或氦气。


5.一种冷却晶圆的装置，其特征在于，包括获取单元、计算单元、冷却单元、温度检测单元和控制器，所述冷却单元和所述温度检测单元均与所述控制器电连接；
所述获取单元，用于实时获取已完成工艺且待冷却的当前晶圆与正在进行工艺的制程晶圆的工艺时间差值；
所述计算单元，用于基于所述工艺时间差值与冷却气体流量值之间的预设函数关系式，...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨雄，姜宏伟，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11