【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种，包括：提供沟槽，在所述沟槽底部和侧壁形成润湿金属层；形成所述润湿金属层后，在所述沟槽内填充牺牲材料层，所述牺牲材料层将所述沟槽完全填充；刻蚀所述牺牲材料层，直至暴露出部分沟槽侧壁的润湿金属层；使暴露的所述润湿金属层反应形成绝缘层或在暴露的所述润湿金属层上形成绝缘层；形成所述绝缘层后，清除剩余的所述牺牲材料层；采用第一沉积法沉积金属层，所述金属层高度不大于刻蚀中未暴露的润湿金属层高度；采用第二沉积法继续沉积金属层，直至完全填充所述沟槽。该方法能够在金属填充高深宽比的沟槽时，实现无间隙填充。【专利说明】
本专利技术涉及半导体制造技术，特别涉及半导体中。
技术介绍
随着半导体技术不断发展，半导体器件的尺寸在不断地缩小，而且，芯片上器件尺寸相应缩小是按比例进行的，仅减小芯片上一个特征尺寸是不可接受的。半导体器件尺寸的不断缩小，传统的低深宽比沟槽逐渐演变为高深宽比的沟槽，要无间隙的填充这些沟槽变得越来越困难。以沉积铝为例，现有技术中以溅射的方法沉积铝来形成铝栅极和铝插塞被广泛采用，由于溅射工艺属于物理气相沉积(PVD)方法，其阶梯覆盖能力通常比化学...
【技术保护点】
一种金属填充沟槽的方法，其特征在于，包括：提供沟槽，在所述沟槽底部和侧壁形成润湿金属层；形成所述润湿金属层后，在所述沟槽内填充牺牲材料层，所述牺牲材料层将所述沟槽完全填充；刻蚀所述牺牲材料层，直至暴露出部分沟槽侧壁的润湿金属层；使暴露的所述润湿金属层反应形成绝缘层或在暴露的所述润湿金属层上形成绝缘层；形成所述绝缘层后，清除剩余的所述牺牲材料层；采用第一沉积法沉积金属层，所述金属层高度不大于刻蚀中未暴露的润湿金属层高度；所述第一沉积法沉积的金属层具有选择依附性，不易沉积在所述绝缘层上；采用第二沉积法继续沉积金属层，直至完全填充所述沟槽。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周鸣，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。