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本发明涉及具有双重图案化金属层结构的位格，揭示一种用于提供具有双重图案化金属层结构的SRAM位格的方法。具体实施例包括：经由第一图案化制程，提供字线结构、接地线结构、电源线结构或彼等的组合；以及经由第二图案化制程，提供紧邻该字线结构、该接地...
该专利属于格罗方德半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过格罗方德半导体公司授权不得商用。

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