栅极驱动单元及其制作方法、栅极驱动电路技术

本发明专利技术公开了一种用于制作栅极驱动单元的方法、栅极驱动单元和栅极驱动电路。其中，栅极驱动单元的制作方法包括：在第二金属层上形成光阻层；利用半色调掩膜版对光阻层进行曝光和显影；判断是否执行烧光阻步骤；在判断出执行烧光阻步骤时，采用烧光阻工艺去除光阻层上对应半色调掩膜版的半透光区域的光阻，采用蚀刻工艺蚀刻掉第二金属层上未被光阻覆盖的金属，并灰化剩余光阻，得到第一金属图案；在判断出不执行烧光阻步骤时，采用蚀刻工艺蚀刻掉第二金属层上未被光阻覆盖的金属，并灰化剩余光阻，得到第二金属图案。

Grid drive unit, manufacturing method thereof, and gate drive circuit

The invention discloses a method for making a grid drive unit, a grid drive unit and a grid drive circuit. Among them, the gate drive method includes production unit: forming a photoresist layer on the second metal layer; mask for exposing and developing the photoresist layer by using half tone; determine whether the implementation of burn resistance in judging the implementation steps; burn resistance step, by removing the photoresist semi transparent area corresponds to the half tone mask the film version of the photoresist layer on the photoresist burning process, the etching process is etched on the second metal layer is not a photoresist covered metal, and the remaining photoresist ashing, the first metal pattern; in the judge does not perform the burning light blocking step, the etching process is etched on the second metal layer is not light resistance metal cover, and the remaining photoresist ashing, second metal pattern.

【技术实现步骤摘要】
栅极驱动单元及其制作方法、栅极驱动电路
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种栅极驱动单元及其制作方法、栅极驱动电路。
技术介绍
随着液晶显示技术的发展，高分辨率、高对比度、高刷新速率、窄边框、薄型化已成为液晶显示器的发展趋势。因此，如何实现液晶面板的窄边框、薄型化和低成本变得越来越重要。在这样的背景下，阵列基板行驱动(GOA,GateDriveronArray)技术以其低成本、低功耗和窄边框等优点得到了广泛的应用。阵列基板行驱动技术是将液晶面板的栅极驱动电路集成在阵列基板上，形成对液晶面板的行扫描驱动。其中，阵列基板行驱动单元是由若干个薄膜晶体管(TFT，ThinFilmTransistor)开关和若干个电容构成的。不同的阵列基板行驱动单元的具体结构一般不同。因此现有技术中，每制作一种阵列基板行驱动单元就需要一套光罩，从而导致产品开发成本非常高。针对于此，如何通过一套光罩制作出不同需求的阵列基板行驱动单元，进而降低产品开发成本乃业界所致力的课题之一。
技术实现思路
针对上述技术问题，本专利技术提出了一种用于制作栅极驱动单元的方法、栅极驱动单元和栅极驱动电路，用以实现两种不同的栅极驱动单元共用一套光罩的设计。根据本专利技术的第一个方面，提供了一种用于制作栅极驱动单元的方法，其包括图案化第二金属层，具体包括：在所述第二金属层上形成光阻层；利用半色调掩膜版对所述光阻层进行曝光和显影；判断是否执行烧光阻步骤；在判断出执行烧光阻步骤时，采用烧光阻工艺去除光阻层上对应所述半色调掩膜版的半透光区域的光阻，采用蚀刻工艺蚀刻掉所述第二金属层上未被光阻覆盖的金属，并灰化剩余光阻，得到第一金属图案；在判断出不执行烧光阻步骤时，采用蚀刻工艺蚀刻掉所述第二金属层上未被光阻覆盖的金属，并灰化剩余光阻，得到第二金属图案。根据本专利技术的实施例，所述第一/二金属图案包括所述栅极驱动单元中开关元件的漏极和源极。根据本专利技术的实施例，所述第一/二金属图案包括所述栅极驱动单元中电容的一个极板。根据本专利技术的实施例，所述第一/二金属图案包括所述栅极驱动单元中开关元件的漏极和源极，以及所述栅极驱动单元中电容的一个电极。根据本专利技术的实施例，所述烧光阻工艺包括氧等离子体烧光阻工艺。根据本专利技术的实施例，所述半色调掩膜版被配置为调整所述栅极驱动单元中开关元件的宽长比，和/或，调整所述栅极驱动单元中电容的极板的重叠面积。进一步地，所述方法还包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上形成第一金属层，并使所述第一金属层包括所述栅极驱动单元中开关元件的栅极；在所述第一金属层上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成半导体层；在所述半导体层上形成所述第二金属层。根据本专利技术的实施例，所述第二金属层的材料为：铜、铝、钼；或者由铜、铝和钼中的两种或三种制成的合金。根据本专利技术的第二个方面，还提供了一种采用以上所述的制作方法制作的栅极驱动单元。根据本专利技术的第三个方面，还提供了一种栅极驱动电路，包括多个上述所述的栅极驱动单元，其中每个栅极驱动单元被配置成驱动与其相对应的扫描线。与现有技术相比，本专利技术的一个或多个实施例可以具有如下优点：本专利技术在栅极驱动单元的制作工艺中，将第二金属层的光罩设计成半色调掩膜版结构，然后通过是否进行烧光阻工艺来控制薄膜晶体管开关的宽度或者电容的重叠面积，从而能够实现两种不同的栅极驱动电路共用一套光罩的设计，进而降低产品的开发成本。本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。附图说明附图用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本专利技术的实施例共同用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的限制。在附图中：图1是本专利技术的实施例中制作栅极驱动单元的方法的流程图；图2是本专利技术的实施例中图案化第二金属层的方法的流程图；图3是本专利技术的实施例中包括第一金属图案的栅极驱动单元的局部示意图；图4是本专利技术的实施例中包括第二金属图案的栅极驱动单元的局部示意图；图5是本专利技术的另一实施例中包括第一金属图案的栅极驱动单元的局部示意图；图6是本专利技术的另一实施例中包括第二金属图案的栅极驱动单元的局部示意图。具体实施方式以下将结合附图及实施例来详细说明本专利技术的实施方式，借此对本专利技术如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是，只要不构成冲突，本专利技术中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合，所形成的技术方案均在本专利技术的保护范围之内。实施例一图1是本专利技术的实施例中制作栅极驱动单元的方法的流程图。本实施例的制作方法包括步骤S10至步骤S60。下面结合图1详细地说明各个步骤，及据此制成的栅极驱动单元的具体结构。步骤S10，提供衬底基板。在本实施例中，衬底基板优选采用玻璃或者透明树脂等材料制成。但需要说明的是，本实施例对基板的材质不做具体限定。在具体实施过程中，本领域的技术人员可以根据设计及制造的需要进行选择。步骤S20，在衬底基板上形成第一金属层，并使第一金属层包括栅极驱动单元中开关元件的栅极。在该步骤中：首先，在基板上通过溅射或沉积的方法制作一层栅极金属材料，即第一金属层。本实施例中，优选采用物理气相沉积(PVD,PhysicalVaporDeposition)工艺在基板上沉积一层栅极金属材料。进一步地，栅极金属材料优选采用以下材料制成：铜；铝；钼；铜和铝两种制成的合金；铜和钼两种制成的合金；铝和钼两种制成的合金；或者由铜、铝和钼三种制成的合金。本实施例对栅极金属材料以及制作栅极金属材料的方法不做具体限定。在具体实施过程中，本领域的技术人员可以根据设计及制造的需要进行选择。然后，通过第一次构图工艺形成具有栅极图案的光阻层。在该步骤中，依次通过涂布光刻胶、掩膜、曝光和显影步骤完成第一次构图工艺，形成包括栅极驱动单元中开关元件的栅极图案的光阻层。最后，通过蚀刻和剥离工艺形成栅极金属层。在该步骤中，采用蚀刻工艺蚀刻掉第一金属层上未被光阻覆盖的金属。进一步地，优选采用灰化工艺去除剩余光阻，得到栅极金属层。步骤S30，在第一金属层上形成栅极绝缘层。在本实施例中，优选采用化学气相沉积(CVD,ChemicalVaporDeposition)工艺在第一金属层上沉积栅极绝缘层。当然，制作栅极绝缘层的方法有很多种。例如，可以通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD,PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition)、低压化学气相沉积(LPCVD,LowPressureChemicalVaporDeposition)、大气压化学气相沉积(APCVD,AtmosphericPressureChemicalVaporDeposition)、电子回旋谐振化学气相沉积(ECR-CVD,ElectronCyclotronResonance-ChemicalVaporDeposition)等方法沉积栅极绝缘层。本实施例对此不做具体限定。进一步地，栅极绝缘层的材料优选为氮化硅(SiNx)。其中，绝缘层的厚度可以根据具体的工艺需要进行选择，本实施例对栅极绝缘层的材料及厚度也不做具体限定。步骤S40，在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制作栅极驱动单元的方法，其特征在于，包括图案化第二金属层，具体包括：在所述第二金属层上形成光阻层；利用半色调掩膜版对所述光阻层进行曝光和显影；判断是否执行烧光阻步骤；在判断出执行烧光阻步骤时，采用烧光阻工艺去除光阻层上对应所述半色调掩膜版的半透光区域的光阻，采用蚀刻工艺蚀刻掉所述第二金属层上未被光阻覆盖的金属，并灰化剩余光阻，得到第一金属图案；在判断出不执行烧光阻步骤时，采用蚀刻工艺蚀刻掉所述第二金属层上未被光阻覆盖的金属，并灰化剩余光阻，得到第二金属图案。

【技术特征摘要】
1.一种用于制作栅极驱动单元的方法，其特征在于，包括图案化第二金属层，具体包括：在所述第二金属层上形成光阻层；利用半色调掩膜版对所述光阻层进行曝光和显影；判断是否执行烧光阻步骤；在判断出执行烧光阻步骤时，采用烧光阻工艺去除光阻层上对应所述半色调掩膜版的半透光区域的光阻，采用蚀刻工艺蚀刻掉所述第二金属层上未被光阻覆盖的金属，并灰化剩余光阻，得到第一金属图案；在判断出不执行烧光阻步骤时，采用蚀刻工艺蚀刻掉所述第二金属层上未被光阻覆盖的金属，并灰化剩余光阻，得到第二金属图案。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一/二金属图案包括所述栅极驱动单元中开关元件的漏极和源极。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一/二金属图案包括所述栅极驱动单元中电容的一个极板。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一/二金属图案包括所述栅极驱动单元中开关元件的漏极和源极，以及所述栅极驱动单元中电容的一个电极。5.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐向阳，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44