【技术实现步骤摘要】
【专利说明】背景
本申请涉及电路以提供具有过压保护的其他组件，诸如静电放电(ESD)和/或电过载(E0S)事件。
技术介绍
的描述现代电子依赖于其中在单个封装中提供大量晶体管的集成电路。对于诸如速度的性能，晶体管通常仅设计以在例如几伏和数十千伏之间相对低的电压进行操作。集成电路经封装以保护它们，但需要通过引腿或引脚或类似结构的方式连接到封装之外的组件。这些可依次连接到在产品上提供的端子、连接器或插座，在所述产品中提供集成电路。因此，即使当集成电路被安装在电路板上，可以进行静电冲击。已知等待放置在电路板上的集成电路特别容易受到静电放电或其它过电压事件。理想并已知以提供提供过压保护的电路。简单的示例是在被保护的节点和集成电路的电源轨之间提供反向偏置二极管。然而，在更复杂的电压保护电路中，理想的是:1)该电路不会触发，直到达到触发电压。2)即一旦电路触发，电压“弹回”到较小的保持电压。3)电路是快速的，以便它可以在损害发生到集成电路之前对ESD事件作出反应。可以相对多种公布的测试标准评估电路性能。一个这样的标准是国际电工委员会(IEC)CDM(带电装置模型)，其中峰...
【技术保护点】
一种过电压保护设备，包括连接在被保护的节点和放电路径之间的双极晶体管结构，其中，所述双极型晶体管结构包括基极区、集电极区和发射极区，其中，所述集电极区和所述发射极区彼此相邻。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：E·J·考尼，J·特沃米伊，S·P·惠斯顿，D·J·克拉克，D·P·麦考利夫，W·A·拉尼，S·D·赫弗南，B·A·莫阿尼，B·M·斯威尼，P·M·迈克古尼斯，
申请(专利权)人：亚德诺半导体集团，
类型：发明
国别省市：百慕大群岛;BM
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