【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)单元的制造方法。更具体地，涉及一种具有改进的隧道氧化物窗口轮廓、从而具有较小尺寸的EEPROM单元的制造方法。
技术介绍
电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)是一种应用广泛的半导体存储器件，它既有随机存取存储器(RAM)在联机操作中可读可写的特性，又具有非易失性只读存储器(ROM)在掉电后仍能保存所有存储数据的优点。它的最大优点是可直接用电信号擦除，也可用电信号写入。EEPROM单元通常由一个选择晶体管和一个存储晶体管组成。其中存储晶体管包括由浮栅极和控制栅极构成的叠层栅极结构，浮栅极用来存储电子，而控制栅极用来控制信息的存取。漏区与源区形成在衬底中，分别位于叠层栅极结构的两侧。在控制栅极和浮栅极之间具有一个介电层。在浮栅极与漏区交叠的部分具有一层非常薄的隧道氧化层。EEPROM是利用隧道效应来实现信息的写入和擦除的。图1A-1L表示EEPROM的传统制造工艺流程。首先利用硅的局部氧化工艺(LOCOS)或浅沟槽隔离工艺(STI)在P型硅衬底100上形成场氧化物103，从而定义出几个隔离区域低压外围电...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电可擦除可编程只读存储器单元的制造方法，包括提供硅衬底；在所述硅衬底上形成栅极氧化物层；在所述栅极氧化物层上涂覆光刻胶并对其进行图案化，以在光刻胶中形成一开口，暴露出下面的栅极氧化物；以所述图案化的光刻胶作为掩模，通过所述开口进行离子注入；进行湿法腐蚀，腐蚀掉所述开口下方的栅极氧化物，从而形成隧道氧化物窗口；去除光刻胶；以及在所述窗口位置处形成隧道氧化物薄层。2.如权利要求1所述的电可擦除可编程只读存储器单元的制造方法，其特征在于，在形成所述隧道氧化物层后进行如下操作沉积第一多晶硅层并对其进行刻蚀，以形成浮栅极和选择栅极；沉积氧化物/氮化物/氧化物层并对其进行刻蚀，以形成覆盖所述浮栅极的介电层；以及沉积第二多晶硅层并对其进行刻蚀，以在介电层上形成控制栅极。3.如权利要求1所述的电可擦除可编...
【专利技术属性】
技术研发人员：詹奕鹏，吴佳特，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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