【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及可编程只读存储器领域,尤其涉及一种增加智能卡可编程只读存储器寿命的方法。
技术介绍
当前智能卡芯片在可编程只读存储器(EEPROM/FLASH)模块的擦写寿命上,还不能完全满足实际应用的需要。尤其是国产芯片,目前绝大部分还停留在10万次水平。另外,智能卡操作系统需要对应用数据进行掉电保护,即事务处理,而在现有技术中,在掉电保护过程中需要进行置标记位和清标记位两个步骤,这样,在一次掉电保护就至少擦写了两次,使得可编程只读存储器(EEPROM/FLASH)的擦写寿命缩短,相当于寿命最多只能达到芯片本身寿命的一半。造成这种问题的根本性原因在于,保护标志位需要被操作两次。因此,如何减少对保护标志位操作次数就成了智能卡操作系统方面的一个难题。
技术实现思路
针对现有技术的不足,本专利技术的目的是提供一种能增加智能卡可编程只读存储器寿命的方法。为实现上述目的,本专利技术采用如下技术方案:增加智能卡可编程只读存储器寿命的方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)在可编程只读存储器中申请两个变量D1和D2,分别存放在不同的寿命单元中;(2)上电开始,检查D1、D2的数据值:如果两个数据值中一个是X,另一个是Y,则进行事务恢复处理,恢复完成后,将D2的值置为D1的当前值,其中,X、Y为预设数据值,且X与Y不同;如果两个数据值都是X或Y,则直接跳过事务上电恢复步骤;如果两个数据值中有一个以上数据值既不是X也不是Y,则将D1、D2同时设置为X或者Y,然后跳过事务上电恢复步骤; ...
【技术保护点】
增加智能卡可编程只读存储器寿命的方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)在可编程只读存储器中申请两个变量D1和D2,分别存放在不同的寿命单元中;(2)上电开始,检查D1、D2的数据值:如果两个数据值中一个是X,另一个是Y,则进行事务恢复处理,恢复完成后,将D2的值置为D1的当前值,其中,X、Y为预设数据值,且X与Y不同;如果两个数据值都是X或Y,则直接跳过事务上电恢复步骤;如果两个数据值中有一个以上数据值既不是X也不是Y,则将D1、D2同时设置为X或者Y,然后跳过事务上电恢复步骤;(3)调用事务处理:第一步,先将要擦写的目标地址的原始数据备份到事务备份区;第二步,然后读取D1的值,如果D1的值为Y,则设置D1的值为X;如果D1的值为X,则设置D1的值为Y;如果D1的值既不是Y也不是X,则重新上电初始化;第三步,接着将新的数据写到目标地址中;第四步,最后设置D2的值为D1当前值,结束事务处理。
【技术特征摘要】
1.增加智能卡可编程只读存储器寿命的方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)在可编程只读存储器中申请两个变量D1和D2,分别存放在不同的寿命单元中;
(2)上电开始,检查D1、D2的数据值:
如果两个数据值中一个是X,另一个是Y,则进行事务恢复处理,恢复完成后,将D2的值置为D1的当前值,其中,X、Y为预设数据值,且X与Y不同;
如果两个数据值都是X或Y,则直接跳过事务上电恢复步骤;
如果两个数据值中有一个以上数据值既不是X也不是Y,则将D1、D2同时设置为X或者Y,然后跳过事务上电恢复步骤;
(3)调用事务处理:
第一步,先将要擦写的目标地址的原始数据...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐明祥,郭腊顺,王涛,
申请(专利权)人:苏州融卡智能科技有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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