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一种电可擦除可编程只读存储器单元的制造方法，包括：　　　　提供硅衬底；　　　　在所述硅衬底上形成栅极氧化物层；　　　　在所述栅极氧化物层上涂覆光刻胶并对其进行图案化，以在光刻胶中形成一开口，暴露出下面的栅极氧化物；　　　　以所述图案化的光刻...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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