特别地用在掩膜对准器中的卡盘制造技术

一种用于将第一平面衬底(例如晶片)与第二平面衬底(例如掩膜)平行排布的卡盘，包括：具有用于放置第一平面衬底的上表面的顶板、底板、至少一个配置用于测量顶板上表面与第二平面衬底一个表面之间距离的距离测量传感器；以及至少三个与顶板和底板接触的线性致动器。一种用于特别地通过卡盘设定卡盘顶板上的第一平面衬底(例如晶片)与第二平面衬底(例如掩膜)之间间距的方法，包括步骤：在至少一个点处测量第一平面衬底的厚度；通过卡盘的至少一个距离测量传感器测量第二平面衬底的表面与顶板的上表面之间的距离；以及采用卡盘的至少三个线性致动器，优选结合卡盘的至少三个弹簧轴承调整第一平面衬底或卡盘的顶面与第二平面衬底表面之间的倾斜度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种卡盘，特别是涉及一种用在将晶片与掩膜平行排布的掩膜对准器中的卡盘，以及涉及一种设定晶片卡盘顶板上的晶片与掩膜之间间隙的方法。
技术介绍
下面，将参照晶片与掩膜的对准对该信息进行频繁的说明。但是，该信息涉及的晶片和掩膜，不应解释为限制，即权利要求的卡盘和设定间隙的方法同样适用于通常的第一平面衬底和第二衬底的对准。对于微电、微光或微机械元件和设备的生产制作，通常的工艺是用光刻法将结构从掩膜转移到衬底(例如硅晶片)上。光刻法用光将所述结构(即几何图案)从掩膜转移到此前涂布在衬底上的光敏化学胶上。然后，化学试剂将衬底内暴露的结构进行蚀刻或者使被转移图案中的其他物质沉积在衬底上。工业生产可能需要将该过程重复多达50次。如果掩膜与衬底不平行，即如果掩膜与晶片之间有楔，则掩膜的结构无法被均一地转移到衬底上，导致缺陷和不当结构的产生，通常给客户造成制程窗口缩短。对于大量重复的光刻工艺，这种楔误差可能会对生产造成巨大损失。因此，晶片与掩膜彼此之间的正确的对准是必需的。如果掩膜和衬底并不能在适当的间距内可重复地定位，则结构将无法准确地转移到衬底上。由于现代生产工艺使用的衬底越本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于将第一平面衬底(200)(例如晶片)与第二平面衬底(300)(例如掩膜)平行排布的卡盘(100)，所述卡盘(100)包括：(a)用于布置第一平面衬底、具有上表面(101')的顶板(101)；(b)底板(102)；(c)至少一个配置用于测量顶板(101)上表面(101’)与第二平面衬底(300)的表面(301)之间的距离的距离测量传感器(103)；以及(d)至少三个与顶板(101)和底板(102)接触的线性致动器(104)。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·汉森，T·许尔斯曼，K·申德勒，
申请(专利权)人：苏斯微技术光刻有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE