阵列基板的制作方法技术

本申请公开了阵列基板的制作方法，方法包括在衬底基板一侧形成多晶硅层、第一绝缘层、第一光阻层，曝光显影第一光阻层，曝光显影后的第一光阻层具有用于形成P型薄膜晶体管有源区的第一图形结构和用于形成N型薄膜晶体管有源区的第二图形结构；刻蚀第一光阻层、第一绝缘层和多晶硅层，以使多晶硅层具有P型薄膜晶体管有源区结构以及N型薄膜晶体管有源区结构；对多晶硅层进行第一离子注入以形成掺杂的P型薄膜晶体管的重掺杂区和掺杂的N型薄膜晶体管的有源区。本申请实施例提供的方案，减少了使用掩膜版的次数，可以降低生产成本，提高生产效率。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板的制作方法
本申请一般涉及显示
，尤其涉及阵列基板的制作方法。
技术介绍
随着显示技术，如LCD(LiquidCrystalDisplay，液晶显示器)显示、OLED(OrganicLight-EmittingDiode，有机发光二极管)显示、柔性显示等的不断发展，显示面板广泛应用于各行各业中。但是显示面板较高的生产成本仍然成为阻碍其进一步发展的一个因素。显示面板中通常包括阵列基板，其中，阵列基板的制作过程最为复杂。一般来说，在阵列基板中包括薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)，薄膜晶体管包括栅电极、栅电极绝缘层、有源层、源漏极层等等。在制作薄膜晶体管时，通常利用掩膜版曝光显影，进而刻蚀出每一层需要的图案。在现有技术中，制备CMOS型的阵列基板需要12道MASK。这样使得制备阵列基板的成本和复杂度都很高，同时制作的阵列基板的质量也难以保证。
技术实现思路
鉴于现有技术存在的上述问题，本专利技术提供一种阵列基板的制作方法，以解决
技术介绍
中所述的至少部分技术问题。本申请实施例提供了一种阵列基板的制作方法，上述方法包括提供一衬底基板；在衬底基板一侧形成多晶硅层；在多晶硅层远离衬底基板的一侧形成第一绝缘层；在第一绝缘层远离多晶硅层的一侧形成第一光阻层；对第一光阻层曝光显影，使得经过曝光显影后的第一光阻层具有用于形成P型薄膜晶体管有源区的第一图形结构和用于形成N型薄膜晶体管有源区的第二图形结构；其中，第一图形结构包括用于形成P型薄膜晶体管有源区的沟道区的第一区域和用于形成P型薄膜晶体管有源区的重掺杂区的第二区域；第一区域具有第一厚度，第二区域具有第二厚度；第二图形结构各处具有第三厚度；第一厚度大于第三厚度，且第三厚度大于第二厚度；对第一光阻层、第一绝缘层和多晶硅层进行刻蚀，使得刻蚀后的多晶硅层具有P型薄膜晶体管有源区结构以及N型薄膜晶体管有源区结构；刻蚀后的P型薄膜晶体管有源区包括重掺杂区和沟道区；刻蚀后的第一光阻层向多晶硅层的正投影与P型薄膜晶体管有源区的沟道区重合；刻蚀后的第一绝缘层向多晶硅层的正投影与P型薄膜晶体管有源区的沟道区以及N型薄膜晶体管有源区重合；对多晶硅层进行第一离子注入，使得第一离子注入后的多晶硅层包括掺杂的P型薄膜晶体管的重掺杂区和掺杂的N型薄膜晶体管的有源区；其中，第二图形结构向多晶硅层的正投影与N型薄膜晶体管有源区重合，第一图形结构的第一区域和第二区域向多晶硅层的正投影分别与P型薄膜晶体管有源区的沟道区和重掺杂区重合。可选的，对第一光阻层曝光显影，包括使用预设半色调掩膜版对第一光阻层曝光。可选的，预设半色调掩膜版包括第一部分透光区、第二部分透光区、不透光区以及透光区；第一部分透光区向第一光阻层的正投影与第二图形结构重合；第二部分透光区向第一光阻层的正投影与第一图形结构的第二区域重合；不透光区向第一光阻层的正投影与第一图形结构的第一区域重合；第一部分透光区的光透过率小于第二部分透光区的光透过率。可选的，所述第一部分透光区的光透过率与所述第二部分透光区的光透过率满足如下关系：1:8<T1:T2<1:2；其中T1为所述第一部分透光区的光透过率，T2为所述第二部分透光区的光透过率。可选的，第一离子注入为硼离子注入，硼离子注入的工艺参数为：离子能量大于等于8Kev；注入离子单位面积数量大于等于4.5E14/cm2。可选的，N型薄膜晶体管有源区包括重掺杂区、轻掺杂区、沟道区；在对多晶硅层进行第一离子注入之后，方法还包括：在第一绝缘层远离衬底基板的一侧形成第二光阻层，并对第二光阻层进行曝光显影，使得曝光显影后的第二光阻层覆盖N型薄膜晶体管有源区的轻掺杂区、N型薄膜晶体管有源区的沟道区以及P型薄膜晶体管的有源区；对多晶硅层进行第二离子注入，以使第二离子注入后的多晶硅层中形成掺杂的N型薄膜晶体管有源区的重掺杂区。可选的，在衬底基板一侧形成多晶硅层之前，方法还包括：在衬底基板之上形成遮光层，遮光层包括多个遮光结构，每一个遮光结构向多晶硅层的正投影至少覆盖一个P型薄膜晶体管有源区的沟道区或者至少覆盖一个N型薄膜晶体管有源区的沟道区；多晶硅层形成在遮光层远离衬底基板的一侧。可选的，在对多晶硅层进行第二离子注入之后，方法还包括：移除第二光阻层；在第一绝缘层远离衬底基板的一侧形成第二绝缘层，第二绝缘层覆盖衬底基板；在第二绝缘层远离衬底基板的一侧形成第一金属层；对第一金属层进行图形化处理，以使在经过图形化处理后的第一金属层中形成N型薄膜晶体管的栅极，以及P型薄膜晶体管的栅极，其中，N型薄膜晶体管的栅极覆盖N型薄膜晶体管有源区的沟道区，P型薄膜晶体管的栅极覆盖P型薄膜晶体管有源区的沟道区。可选的，在对第一金属层进行图形化处理之后，方法还包括：对多晶硅层进行第三离子注入，以形成掺杂的N型薄膜晶体管的轻掺杂区。可选的，在对多晶硅层进行第三离子注入之后，方法还包括：在第一金属层远离第二绝缘层的一侧形成第三绝缘层，形成的第三绝缘层覆盖衬底基板；对第三绝缘层及第二绝缘层形成过孔，露出部分N型薄膜晶体管有源区的重掺杂区、部分P型薄膜晶体管有源区的重掺杂区。可选的，在对第三绝缘层及第二绝缘层形成过孔之后，方法还包括：在第三绝缘层远离第一金属层的一侧形成第二金属层，使得形成的第二金属层通过过孔与N型薄膜晶体管有源区的重掺杂区以及P型薄膜晶体管有源区的重掺杂区电连接；对第二金属层进行图形化处理，使得图形化处理后的第二金属层包括N型薄膜晶体管的源/漏电极与P型薄膜晶体管的源/漏电极；其中N型薄膜晶体管的源/漏电极通过过孔与N型薄膜晶体管有源区的重掺杂区连接，P型薄膜晶体管的源/漏电极通过过孔与P型薄膜晶体管有源区的重掺杂区连接。可选的，第三离子注入和第二离子注入中所注入的离子均为磷离子；第三离子注入所注入的磷离子的浓度低于第二离子注入所注入的磷离子的浓度。本申请提供的阵列基板的制作方法，通过首先对形成有多晶硅层、第一绝缘层以及第一光阻层的衬底基板使用预设半色调掩膜版进行一次曝光显影，然后刻蚀上述多晶硅层、第一绝缘层和第一光阻层以在多晶硅层中形成N型薄膜晶体管有源区的图形结构和P型薄膜晶体管有源区的图形结构；且刻蚀后形成的P型薄膜晶体管有源区的沟道区上方残留有第一绝缘层以及第一光阻层；再对多晶硅层进行第一离子注入形成掺杂的P型薄膜晶体管有源区的重掺杂区和掺杂的N型薄膜晶体管的有源区。相比在分别形成N型薄膜晶体管有源区的图形结构和P型薄膜晶体管有源区的图形结构的制作过程、形成掺杂的P形薄膜晶体管有源区的重掺杂区的制作过程以及形成N型薄膜晶体管有源区的沟道区的制作过程中各自需要使用一次掩膜版，本申请实施例提供的方案，减少了使用掩膜版的次数，可以降低生产成本，提高生产效率。附图说明通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：图1为本申请实施例提供的阵列基板的制作方法的流程图；图2A为本申请实施例提供的阵列基板的制作方法中多晶硅层、第一绝缘层和光阻层形成工艺的截面结构示意图；图2B为本申请实施例提供的阵列基板的制作方法中多晶硅层、第一绝缘层和光阻层形成工艺的平面结构示意图；图3A为本申请实施例提供的阵列基板制作方法中对第一光阻层曝光显影本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制作方法，其特征在于，提供一衬底基板；在所述衬底基板一侧形成多晶硅层；在所述多晶硅层远离所述衬底基板的一侧形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层远离所述多晶硅层的一侧形成第一光阻层；对所述第一光阻层曝光显影，使得经过曝光显影后的第一光阻层具有用于形成P型薄膜晶体管有源区的第一图形结构和用于形成N型薄膜晶体管有源区的第二图形结构；其中，所述第一图形结构包括用于形成所述P型薄膜晶体管有源区的沟道区的第一区域和用于形成所述P型薄膜晶体管有源区的重掺杂区的第二区域；所述第一区域具有第一厚度，所述第二区域具有第二厚度；所述第二图形结构各处具有第三厚度；所述第一厚度大于所述第三厚度，且所述第三厚度大于所述第二厚度；对所述第一光阻层、所述第一绝缘层和所述多晶硅层进行刻蚀，使得刻蚀后的多晶硅层具有P型薄膜晶体管有源区结构以及N型薄膜晶体管有源区结构；刻蚀后的所述P型薄膜晶体管有源区包括重掺杂区和沟道区；刻蚀后的第一光阻层向所述多晶硅层的正投影与所述P型薄膜晶体管有源区的沟道区重合；刻蚀后的所述第一绝缘层向所述多晶硅层的正投影与所述P型薄膜晶体管有源区的沟道区以及所述N型薄膜晶体管有源区重合；对所述多晶硅层进行第一离子注入，使得第一离子注入后的多晶硅层包括掺杂的所述P型薄膜晶体管的重掺杂区和掺杂的N型薄膜晶体管的有源区；其中，所述第二图形结构向所述多晶硅层的正投影与所述N型薄膜晶体管有源区重合，所述第一图形结构的第一区域和第二区域向多晶硅层的正投影分别与所述P型薄膜晶体管有源区的沟道区和重掺杂区重合。...

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，提供一衬底基板；在所述衬底基板一侧形成多晶硅层；在所述多晶硅层远离所述衬底基板的一侧形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层远离所述多晶硅层的一侧形成第一光阻层；对所述第一光阻层曝光显影，使得经过曝光显影后的第一光阻层具有用于形成P型薄膜晶体管有源区的第一图形结构和用于形成N型薄膜晶体管有源区的第二图形结构；其中，所述第一图形结构包括用于形成所述P型薄膜晶体管有源区的沟道区的第一区域和用于形成所述P型薄膜晶体管有源区的重掺杂区的第二区域；所述第一区域具有第一厚度，所述第二区域具有第二厚度；所述第二图形结构各处具有第三厚度；所述第一厚度大于所述第三厚度，且所述第三厚度大于所述第二厚度；对所述第一光阻层、所述第一绝缘层和所述多晶硅层进行刻蚀，使得刻蚀后的多晶硅层具有P型薄膜晶体管有源区结构以及N型薄膜晶体管有源区结构；刻蚀后的所述P型薄膜晶体管有源区包括重掺杂区和沟道区；刻蚀后的第一光阻层向所述多晶硅层的正投影与所述P型薄膜晶体管有源区的沟道区重合；刻蚀后的所述第一绝缘层向所述多晶硅层的正投影与所述P型薄膜晶体管有源区的沟道区以及所述N型薄膜晶体管有源区重合；对所述多晶硅层进行第一离子注入，使得第一离子注入后的多晶硅层包括掺杂的所述P型薄膜晶体管的重掺杂区和掺杂的N型薄膜晶体管的有源区；其中，所述第二图形结构向所述多晶硅层的正投影与所述N型薄膜晶体管有源区重合，所述第一图形结构的第一区域和第二区域向多晶硅层的正投影分别与所述P型薄膜晶体管有源区的沟道区和重掺杂区重合。2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述对所述第一光阻层曝光显影，包括使用预设半色调掩膜版对所述第一光阻层曝光。3.根据权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述预设半色调掩膜版包括第一部分透光区、第二部分透光区、不透光区以及透光区；所述第一部分透光区向所述第一光阻层的正投影与所述第二图形结构重合；所述第二部分透光区向所述第一光阻层的正投影与所述第一图形结构的第二区域重合；所述不透光区向所述第一光阻层的正投影与所述第一图形结构的第一区域重合；所述第一部分透光区的光透过率小于所述第二部分透光区的光透过率。4.根据权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一部分透光区的光透过率与所述第二部分透光区的光透过率满足如下关系：1:8<T1:T2<1:2；其中T1为所述第一部分透光区的光透过率，T2为所述第二部分透光区的光透过率。5.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一离子注入为硼离子注入，所述硼离子注入的工艺参数为：离子能量大于等于8Kev；注入离子单位面积数量大于等于4.5E14/cm2。6.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述N型薄膜晶体管有源区包括重掺杂区、轻掺杂区、沟道区；在所述对所述多晶硅层进行第一离子注入之后，所述方法还包括：在所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：文亮，
申请(专利权)人：厦门天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35