【技术实现步骤摘要】
用于测量通过半导体制造装置的管道的流体流量的设备
总体上,本专利技术涉及用于测量半导体制造装置的管道中的流体流量的测量技术。具体而言,本专利技术涉及一种用于测量管道中的流体流量的设备以及包括这种设备的半导体制造装置。
技术介绍
半导体加工机,比如涂覆器或接合器,使用各种化学物质来处理衬底(比如半导体晶圆)的表面。晶圆处理通常在这种机器的处理室中生成流体废物,例如污染空气。流体废物通常经由连接至处理室并用作为加工排气管的特殊管道从处理室移除。作为保证最佳晶圆处理的一种手段,可以监测通过这种管道的流体流量。例如,不期望的流量变化是过程干扰的一种指示。流量计通常用于测量通过这种排气管道的流体流量。流量计通常是压差流量计,其测量管道的收缩部的上游和下游管道中流体的压差。然后可通过两个压力之间的差异来确定流体流量。这些管道中的流体可能被各种工艺材料(比如固体、腐蚀性液体、浆糊或凝胶)污染,这使得流量测量变得复杂。例如,污染物会阻塞流量计的压力测量端口,从而产生噪声信号读数。更进一步,流体中的湍流会导致压 ...
【技术保护点】
1.一种用于测量通过半导体制造装置(300)的管道(101)的流体流量的设备(100),该半导体制造装置尤其是涂覆器或接合器,所述设备(100)包括:/n密封结构(103),其布置在所述管道(101)中;/n流动结构(105),其具有布置在所述密封结构(103)的上游的流体入口(107)以及布置在所述密封结构(103)的下游的流体出口(109);/n在所述密封结构(103)的上游布置在所述管道(101)中的第一室(123)和在所述密封结构(103)的下游布置在所述管道(101)中的第二室(125);以及/n测量装置(111),其中,所述测量装置(111)适于测量所述第一室( ...
【技术特征摘要】
20181203 NL 20221251.一种用于测量通过半导体制造装置(300)的管道(101)的流体流量的设备(100),该半导体制造装置尤其是涂覆器或接合器,所述设备(100)包括:
密封结构(103),其布置在所述管道(101)中;
流动结构(105),其具有布置在所述密封结构(103)的上游的流体入口(107)以及布置在所述密封结构(103)的下游的流体出口(109);
在所述密封结构(103)的上游布置在所述管道(101)中的第一室(123)和在所述密封结构(103)的下游布置在所述管道(101)中的第二室(125);以及
测量装置(111),其中,所述测量装置(111)适于测量所述第一室(123)中的第一流体压力和所述第二室(125)中的第二流体压力,
其中,所述测量装置(111)构造成基于所述第一流体压力和所述第二流体压力确定所述流体流量。
2.根据权利要求1所述的设备(100),其中,所述流动结构(105)在所述管道(101)内延伸。
3.根据权利要求1或2所述的设备(100),其中,所述流动结构(105)包括多个管(201a-d),特别是整流器管。
4.根据权利要求3所述的设备(100),其中,所述管由所述密封结构(103)中的通孔形成。
5.根据权利要求1所述的设备(100),其中,所述密封结构(103)是密封屏障,特别是插塞。
6.根据权利要求1所述的设备(100),其中,所述第一室(123)和/或所述第二室(125)连接至所述密封结构(103)。
7.根据权利要求1所述的设备(100),其中,所述第一室(123)和所述第二室(125)各自具有开口(127、129...
【专利技术属性】
技术研发人员:卡德·梅基亚斯,
申请(专利权)人:苏斯微技术光刻有限公司,
类型:发明
国别省市:德国;DE
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