改善硅通孔横向开口的干法刻蚀方法技术

本发明专利技术公开了一种改善硅通孔横向开口的干法刻蚀方法，包括步骤：1)涂布光刻胶，图形曝光，定义硅通孔的尺寸大小；2)预淀积一层聚合物；3)预刻蚀，在步骤2)的聚合物表面打开缺口；4)在深沟槽侧壁和底部淀积一层聚合物；5)利用高能量等离子体，进行第一次深沟槽干法刻蚀，打开深沟槽底部的聚合物；6)利用低能量等离子体，进行第二次深沟槽干法刻蚀；7)循环进行步骤4)至6)，直至达到所要求的硅通孔深度。该方法利用三步淀积刻蚀交替循环干法刻蚀工艺，控制了硅通孔的横向开口，从而在满足设计所需的较大深度的同时，保证了硅通孔的高深宽比，进而保证了后续金属物填充后的电路性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种。
技术介绍
娃通孔(through silicon via)工艺是一种新兴的集成电路制作工艺,它可将制作在硅片上表面的电路通过硅通孔中填充的金属连接至硅片背面，结合三维封装工艺，使得IC布局从传统二维并排排列发展到更先进的三维堆叠，这样元件封装更为紧凑，芯片引线距离更短，从而可以极大地提高电路的频率特性和功率特性。目前，在硅通孔制作中，需要通过先进的干法刻蚀工艺，在硅基体中制作出具有极大深宽比(有的甚至达到50 75)的深孔或深沟槽，深孔或深沟槽的深度大致在100微米或以上。由于深孔或深沟槽的深宽比过大，干法刻蚀的时间长和能力强，导致侧壁的聚合物不够，因此，会在介质层和硅通孔之间形成横向开口，从而在后续金属物填充深孔或深沟槽时会出现缝隙或者空洞。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种，它可以减小硅通孔的横向开口。为解决上述技术问题，本专利技术的，包括以下步骤:I)在二氧化硅介质层层间膜上涂布光刻胶，图形曝光，定义出硅通孔的尺寸大小;2)预淀积一层聚合物；3)预刻蚀,在步骤2)预淀积的聚合物表面打开缺口 ；4)在深沟槽侧壁和底部本文档来自技高网...

【技术保护点】
改善硅通孔横向开口的干法刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：1)在二氧化硅介质层层间膜上涂布光刻胶，图形曝光，定义出硅通孔的尺寸大小；2)预淀积一层聚合物；3)预刻蚀，在步骤2)预淀积的聚合物表面打开缺口；4)在深沟槽的侧壁和底部淀积一层聚合物；5)利用高能量等离子体，进行第一次深沟槽干法刻蚀，打开深沟槽底部的聚合物；6)利用低能量等离子体，进行第二次深沟槽干法刻蚀；7)循环进行步骤4)至6)，直至达到所要求的硅通孔深度。

【技术特征摘要】
1.改善硅通孔横向开口的干法刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤: 1)在二氧化硅介质层层间膜上涂布光刻胶，图形曝光，定义出硅通孔的尺寸大小； 2)预淀积一层聚合物； 3)预刻蚀，在步骤2)预淀积的聚合物表面打开缺口； 4)在深沟槽的侧壁和底部淀积一层聚合物； 5)利用高能量等离子体，进行第一次深沟槽干法刻蚀，打开深沟槽底部的聚合物； 6)利用低能量等离子体，进行第二次深沟槽干法刻蚀； 7)循环进行步骤4)至6)，直至达到所要求的硅通孔深度。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤I)中，所述光刻胶的厚度大于3μ m。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2)中，预淀积采用的沉淀气体以气体C4F8为主。4.根据权利要求1所述的方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴智勇，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：