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本发明公开了一种改善硅通孔横向开口的干法刻蚀方法，包括步骤：1)涂布光刻胶，图形曝光，定义硅通孔的尺寸大小；2)预淀积一层聚合物；3)预刻蚀，在步骤2)的聚合物表面打开缺口；4)在深沟槽侧壁和底部淀积一层聚合物；5)利用高能量等离子体，进行...该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种改善硅通孔横向开口的干法刻蚀方法，包括步骤：1)涂布光刻胶，图形曝光，定义硅通孔的尺寸大小；2)预淀积一层聚合物；3)预刻蚀，在步骤2)的聚合物表面打开缺口；4)在深沟槽侧壁和底部淀积一层聚合物；5)利用高能量等离子体，进行...