一种等离子体刻蚀装置和干法刻蚀设备制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种等离子体刻蚀装置和干法刻蚀设备，用以通过所述等离子刻蚀装置实现对被刻蚀基板的均匀刻蚀，避免被刻蚀基板由于刻蚀不均匀而造成的不良，提高产品的质量。所述等离子体刻蚀装置，包括反应腔室、位于反应腔室内的相对而置的下部电极和上部电极，所述装置还包括：固定在所述下部电极底部的转轴、与所述转轴相连的电机，其中，所述电机位于所述反应腔室的外部，用于控制所述转轴带动所述下部电极进行转动。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及显示器
，尤其涉及一种等离子体刻蚀装置和干法刻蚀设备。
技术介绍
目前，等离子体刻蚀技术被广泛地应用于工业生产中，例如平板显示行业加工薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)基板等。等离子体技术是依靠等离子体刻蚀装置来实现的。通常，刻蚀气体通过设置在等离子体刻蚀装置的反应腔室上的气体分配装置而进入反应腔室，并在此受到射频功率激发，产生电离而形成等离子体，等离子体与被加工物体表面发生物理和化学反应，并形成挥发性的反应生成物，该反应生成物脱离被加工物体表面后，被真空系统抽出反应腔室。目前常用的等离子体刻蚀装置种类很多，根据原理不同主要包括反应离子刻蚀(Reactive Ion Etching，RIE)、感应耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma，ICP)、ECCP等。在等离子体刻蚀过程中，等离子体在反应腔室中的分布情况会直接影响被加工TFT基板的刻蚀均匀性，TFT基板的刻蚀不均匀性会导致TFT基板产生不良(Mura)，TFT基板的Mura可能会在薄膜晶体管显示器(thin film transistor-liquid crystal display，TFT-LCD)生产的后续工艺中导致各种各样的不良问题。
技术实现思路
本技术提供一种等离子体刻蚀装置和干法刻蚀设备，用以通过所述等离子刻蚀装置实现对被刻蚀基板的均匀刻蚀，避免被刻蚀基板由于刻蚀不均匀而造成的不良，提高产品的质量。本技术提供了一种等离子体刻蚀装置，包括反应腔室、位于反应腔室内的相对而置的下部电极和上部电极，所述装置还包括：固定在所述下部电极底部的转轴、与所述转轴相连的电机，其中，所述电机位于所述反应腔室的外部，用于控制所述转轴带动所述下部电极进行转动。在一种可能的实施方式中，本技术提供的上述等离子体刻蚀装置中，所述转轴为空心结构，且所述转轴中还包括导通所述转轴的外部和内部的过孔；所述装置还包括一端在所述转轴的内部与所述下部电极相连，另一端通过所述过孔与外部射频电源相连的导线。在一种可能的实施方式中，本技术提供的上述等离子体刻蚀装置中，所述过孔位于所述反应腔室的外部。在一种可能的实施方式中，本技术提供的上述等离子体刻蚀装置中，所述转轴固定在所述下部电极的中心位置。在一种可能的实施方式中，本技术提供的上述等离子体刻蚀装置中，所述下部电极在面向所述上部电极的表面设置有多个凹槽；所述装置还包括与所述多个凹槽相连的真空管道，用于当被刻蚀的基板放置在所述下部电极的表面时，将所述凹槽中的空气抽掉，使得所述下部电极与被刻蚀的基板紧密贴合。在一种可能的实施方式中，本技术提供的上述等离子体刻蚀装置中，所述装置还包括集合所述导线和真空管道的套管。在一种可能的实施方式中，本技术提供的上述等离子体刻蚀装置中，所述套管与所述过孔的接触部分通过橡胶块进行密封，所述套管的长度与所述转轴转动的角度成正比。在一种可能的实施方式中，本技术提供的上述等离子体刻蚀装置中，所述套管具有柔韧度。在一种可能的实施方式中，本技术提供的上述等离子体刻蚀装置中，所述装置还包括气体输入端和气体输出端。相应地，本技术还提供了一种干法刻蚀设备，所述设备包括本技术提供的任一种的等离子体刻蚀装置。本技术有益效果如下：本技术提供了一种等离子体刻蚀装置和干法刻蚀设备，所述等离子体刻蚀装置包括反应腔室、位于反应腔室内的相对而置的下部电极和上部电极，以及固定在所述下部电极底部的转轴、与所述转轴相连的电机，其中，所述电机位于所述反应腔室的外部，用于控制所述转轴带动所述下部电极进行转动。因此，本技术提供的等离子体刻蚀装置，在等离子刻蚀时，通过在转轴在电极的控制下带动下部电极的顺时针和/或逆时针旋转，即使下部电极和上部电极之间的等离子体分布不均匀，也能实现被刻蚀的基板均匀刻蚀的目的，避免被刻蚀基板由于刻蚀不均匀而造成的不良，从而提高产品的质量。附图说明图1为本技术提供的一种等离子体装置的结构示意图；图2为本技术提供的第二种等离子体装置的结构示意图；图3为本技术提供的第三种等离子体装置的结构示意图；图4为本技术提供的第四种等离子体装置的结构示意图；图5为本技术提供的第五种等离子体装置的结构示意图；图6为本技术提供的第六种等离子体装置的结构示意图；图7为本技术提供的第七种等离子体装置的结构示意图；图8为本技术提供的第八种等离子体装置的结构示意图；图9为本技术提供的第九种等离子体装置的结构示意图；图10为本技术提供的第十种等离子体装置的结构示意图。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本技术作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。本技术提供一种等离子体刻蚀装置和干法刻蚀设备，用以通过所述等离子刻蚀装置实现对被刻蚀基板的均匀刻蚀，避免被刻蚀基板由于刻蚀不均匀而造成的不良，提高产品的质量。参见图1，本技术提供的一种等离子体刻蚀装置，包括反应腔室11、位于反应腔室内11的相对而置的下部电极12和上部电极13，以及固定在下部电极12底部的转轴14、与转轴14相连的电机15，其中，电机15位于反应腔室11的外部，用于控制转轴14带动下部电极12进行转动。其中，被刻蚀的基板放置在下部电极且与上部电极相对的一面，当下部电极与上部电极之间的气体分布不均匀时，由于下部电极在转轴的带动下进行旋转，使得放置在下部电极的被刻蚀的基板可以被均匀刻蚀。其中电机的转动方向可以为顺时针旋转，或者逆时针旋转，或者顺时针和逆时针循环旋转，因此，电机为可以自由控制转动方向和速度的电极，在此不做具体限定。其中，转轴的形状可以为方形结构或者圆形结构等在此不做具体限定。其中，下部电极和上部电极的形状也不做具体限定，例如可以为方形结构，或者圆形结构等。通过本技术提供的一种等离子体刻蚀装置，等离子体刻蚀装置包括反应腔室、位于反应腔室内的相对而置的下部电极和上部电极，以及固定在所述下部电极底部的转轴、与所述转轴相连的电机，其中，所述电机位于所述反应腔室的外部，用于控制所述转轴带动所述下部电极进行转动。因此，本技术提供的等离子体刻蚀装置，在等离子刻蚀时，通过在转轴在电极的控制下带动下部电极的顺时针和/或逆时针旋转，即使下部电极和上部电极之间的等离子体分布不均匀，也能实现被刻蚀的基板均匀刻蚀的目的，避免被刻蚀基板由于刻蚀不均匀而造成的不良，从而提高产品的质量。在具体实施例中，本技术提供的上述等离子体刻蚀装置中，参见图2，转轴14为空心结构，且转轴14中还包括导通转轴的外部和内部的过孔141；该等离子体刻蚀装置还包括一端在转轴14的内部与下部电极12相连，另一端通过过孔141与外部射频电源17相连的导线16。因此，为了避免转轴在转动的过程中导线缠绕转轴，将转轴设计为空心结构，且将导线通过转轴的内部和过孔与外部射频电源相连。其中，导线与下部电极的底部相连，且连接点位于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体刻蚀装置，包括反应腔室、位于反应腔室内的相对而置的下部电极和上部电极，其特征在于，所述装置还包括：固定在所述下部电极底部的转轴、与所述转轴相连的电机，其中，所述电机位于所述反应腔室的外部，用于控制所述转轴带动所述下部电极进行转动。

【技术特征摘要】
1.一种等离子体刻蚀装置，包括反应腔室、位于反应腔室内的相对而置的下部电极和上部电极，其特征在于，所述装置还包括：固定在所述下部电极底部的转轴、与所述转轴相连的电机，其中，所述电机位于所述反应腔室的外部，用于控制所述转轴带动所述下部电极进行转动。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述转轴为空心结构，且所述转轴中还包括导通所述转轴的外部和内部的过孔；所述装置还包括一端在所述转轴的内部与所述下部电极相连，另一端通过所述过孔与外部射频电源相连的导线。3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述过孔位于所述反应腔室的外部。4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述转轴固定在所述下部电极的中心位置。5.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述下部电...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫奎，白明基，段献学，李贺飞，
申请(专利权)人：合肥京东方光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34