干蚀刻设备制造技术

技术编号:13988634 阅读:89 留言:0更新日期:2016-11-13 12:25
本发明专利技术提供一种干蚀刻设备,通过将载体存放室的抽气管路连通至干蚀刻处理室与废气处理室之间的抽气管路,利用从载体存放室抽出的破真空气体对废气处理室的入口进行吹扫,减少粉尘堆积,通过废物利用解决了废气处理室的入口堵塞问题,降低了废气处理室发生障碍的可能性,从而减少废气处理室的维修和停机次数,降低生产成本,由于废气处理室的维修和停机次数减少,使得干蚀刻处理室的运行时间变长,从而提高生产效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种干蚀刻设备
技术介绍
随着显示技术的发展,液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点,而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品,成为显示装置中的主流。现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示器,其包括液晶显示面板及背光模组(backlight module)。液晶显示面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子,两片玻璃基板中间有许多垂直和水平的细小电线,通过通电与否来控制液晶分子改变方向,将背光模组的光线折射出来产生画面。通常液晶显示面板由彩膜(CF,Color Filter)基板、薄膜晶体管(TFT,Thin Film Transistor)基板、夹于彩膜基板与薄膜晶体管基板之间的液晶(LC,Liquid Crystal)及密封胶框(Sealant)组成,其成型工艺一般包括:前段阵列(Array)制程(薄膜、黄光、蚀刻及剥膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板与CF基板贴合)及后段模组组装制程(驱动IC与印刷电路板压合)。其中,前段Array制程主要是形成TFT基板,以便于控制液晶分子的运动;中段Cell制程主要是在TFT基板与CF基板之间添加液晶;后段模组组装制程主要是驱动IC压合与印刷电路板的整合,进而驱动液晶分子转动,显示图像。液晶显示器的制作过程,尤其是薄膜晶体管阵列基板的制作过程经常需要使用到干蚀刻设备,图1为现有的干蚀刻设备的结构示意图,如图1所示,所述干蚀刻设备包括依次排列的载体存放室100、传输室200、及干蚀刻处理室300,所述干蚀刻处理室300通过第一抽气设备410与废气处理室600相连,所述废气处理室600与酸性排气管520相连,所述载体存放室100通过第二抽气设备420连通至干性排气管510。所述载体存放室100通常在真空状态和大气压状态之间切换,所述载体存放室100一般采用压缩空气(CDA)作为破真空气体(vent gas)。考虑到高分辨率(high resolution)产品的良率需求,使用压缩空气容易出现水汽、及颗粒物等问题,因此通常采用较高纯度的普氮(GN2)作为破真空气体。当所述载体存放室100通过注入普氮达到大气压状态,再通过抽气回到真空状态时,被抽出的普氮通过干性排气管510直接排放到废气管道中,造成浪费。所述干蚀刻处理室300内的蚀刻制程,尤其是金属的蚀刻制程,经常会产生大量含氟化钼(MoFx)、氯化钼(MoClx)、及氯化铝(AlClx)的尾气,这些尾气通过第一抽气设备410抽送至废气处理室600,由于这些尾气中的金属氯化物和金属氟化物具有较高的黏性和吸水潮解性,极易以粉尘的形式沉积在废气处理室600入口,造成废气处理室600入口堵塞及整个抽气系统压力异常,使得废气处理室600经常需要进行停机和维修保养,从而缩短了干蚀刻处理室300的运行时间,降低生产效率。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种干蚀刻设备,解决了废气处理室的入口堵塞问题,降低了废气处理室发生障碍的可能性,可提高生产效率,降低生产成本。为实现上述目的,本专利技术提供一种干蚀刻设备,包括依次排列的载体存放室、传输室、及干蚀刻处理室;所述载体存放室与传输室通过第一腔门进行连通和隔离,所述传输室与干蚀刻处理室通过第二腔门进行连通和隔离;所述干蚀刻处理室通过第一管路连通至第一抽气设备,所述第一抽气设备通过第二管路连通至废气处理室,从而可在蚀刻制程结束后所述干蚀刻处理室内残留的制程尾气抽送至废气处理室中并在废气处理室内进行处理;所述载体存放室在真空状态和大气压状态之间切换,从真空状态切换至大气压状态需要向载体存放室内注入破真空气体,从大气压状态切换至真空状态需要从载体存放室内抽出破真空气体;所述载体存放室通过第三管路连通至第二抽气设备,所述第二抽气设备连通至第四管路,所述第四管路连通至所述第二管路上靠近废气处理室入口的位置,从而可在所述载体存放室从大气压状态切换至真空状态时将所述载体存放室内的破真空气体抽出并传输至废气处理室入口,对废气处理室入口进行吹扫。所述传输室内设有传输装置,所述传输装置用于将制程前基板和制程后基板在所述载体存放室与干蚀刻处理室之间传递。所述第四管路通过第一三通接头连通至所述第二管路,所述第二管路在所述第一三通接头处断开,断开的两端分别与所述第一三通接头的两个端口相连,所述第四管路与所述第一三通接头的另一个端口相连。所述第四管路上设有一三通阀,所述第四管路在所述三通阀处断开,所述第四管路上靠近所述第一抽气设备的断开端与所述三通阀的入口相连,所述第四管路上靠近所述废气处理室的断开端与所述三通阀的一出口相连,所述三通阀的另一出口与第五管路相连,所述第五管路与第一排气管相连。所述第四管路上位于三通阀与废气处理室之间的部分通过第二三通接头连通至第六管路,所述第四管路在所述第二三通接头处断开,断开的两端分别与所述第二三通接头的两个端口相连,所述第六管路与第二三通接头的另外一个端口相连,所述第六管路连通至第一排气管,且所述第六管路上设有一手动阀。所述废气处理室与第二排气管相连,所述第二排气管为管道内表面设有防腐蚀涂层的不锈钢管。所述第一管路、第二管路、及第四管路上位于三通阀与废气处理室之间的部分的外部均设有加热装置。所述加热装置为包覆于管路外表面的加热带。所述加热装置的加热温度为大于等于120℃。所述第一抽气设备与第二抽气设备均为干泵。本专利技术的有益效果:本专利技术提供的一种干蚀刻设备,通过将载体存放室的抽气管路连通至干蚀刻处理室与废气处理室之间的抽气管路,利用从载体存放室抽出的破真空气体对废气处理室的入口进行吹扫,减少粉尘堆积,通过废物利用解决了废气处理室的入口堵塞问题,降低了废气处理室发生障碍的可能性,从而减少废气处理室的维修和停机次数,降低生产成本,由于废气处理室的维修和停机次数减少,使得干蚀刻处理室的运行时间变长,从而提高生产效率。为了能更进一步了解本专利技术的特征以及
技术实现思路
,请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图,然而附图仅提供参考与说明用,并非用来对本专利技术加以限制。附图说明下面结合附图,通过对本专利技术的具体实施方式详细描述,将使本专利技术的技术方案及其它有益效果显而易见。附图中,图1为现有的干蚀刻设备的结构示意图;图2为本专利技术的干蚀刻设备的结构示意图。具体实施方式为更进一步阐述本专利技术所采取的技术手段及其效果,以下结合本专利技术的优选实施例及其附图进行详细描述。请参阅图2,本专利技术提供一种干蚀刻设备,包括依次排列的载体存放室10、传输室20、及干蚀刻处理室30;所述载体存放室10与传输室20通过第一腔门81进行连通和隔离,所述传输室20与干蚀刻处理室30通过第二腔门82进行连通和隔离;所述干蚀刻处理室30通过第一管路51连通至第一抽气设备41,所述第一抽气设备41通过第二管路52连通至废气处理室70,从而可在蚀刻制程结束后将所述干蚀刻处理室30内残留的制程尾气抽送至废气处理室70中并在废气处理室70内进行处理;所述载体存放室10在真空状态和大气压状态之间切换,从真空状态切换至大气压状态需要向载体存放室10本文档来自技高网
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干蚀刻设备

【技术保护点】
一种干蚀刻设备,其特征在于,包括依次排列的载体存放室(10)、传输室(20)、及干蚀刻处理室(30);所述载体存放室(10)与传输室(20)通过第一腔门(81)进行连通和隔离,所述传输室(20)与干蚀刻处理室(30)通过第二腔门(82)进行连通和隔离;所述干蚀刻处理室(30)通过第一管路(51)连通至第一抽气设备(41),所述第一抽气设备(41)通过第二管路(52)连通至废气处理室(70),从而可在蚀刻制程结束后将所述干蚀刻处理室(30)内残留的制程尾气抽送至废气处理室(70)中并在废气处理室(70)内进行处理;所述载体存放室(10)在真空状态和大气压状态之间切换,从真空状态切换至大气压状态需要向载体存放室(10)内注入破真空气体,从大气压状态切换至真空状态需要从载体存放室(10)内抽出破真空气体;所述载体存放室(10)通过第三管路(53)连通至第二抽气设备(42),所述第二抽气设备(42)连通至第四管路(54),所述第四管路(54)连通至所述第二管路(52)上靠近废气处理室(70)入口的位置,从而可在所述载体存放室(10)从大气压状态切换至真空状态时将所述载体存放室(10)内的破真空气体抽出并传输至废气处理室(70)入口,对废气处理室(70)入口进行吹扫。...

【技术特征摘要】
1.一种干蚀刻设备,其特征在于,包括依次排列的载体存放室(10)、传输室(20)、及干蚀刻处理室(30);所述载体存放室(10)与传输室(20)通过第一腔门(81)进行连通和隔离,所述传输室(20)与干蚀刻处理室(30)通过第二腔门(82)进行连通和隔离;所述干蚀刻处理室(30)通过第一管路(51)连通至第一抽气设备(41),所述第一抽气设备(41)通过第二管路(52)连通至废气处理室(70),从而可在蚀刻制程结束后将所述干蚀刻处理室(30)内残留的制程尾气抽送至废气处理室(70)中并在废气处理室(70)内进行处理;所述载体存放室(10)在真空状态和大气压状态之间切换,从真空状态切换至大气压状态需要向载体存放室(10)内注入破真空气体,从大气压状态切换至真空状态需要从载体存放室(10)内抽出破真空气体;所述载体存放室(10)通过第三管路(53)连通至第二抽气设备(42),所述第二抽气设备(42)连通至第四管路(54),所述第四管路(54)连通至所述第二管路(52)上靠近废气处理室(70)入口的位置,从而可在所述载体存放室(10)从大气压状态切换至真空状态时将所述载体存放室(10)内的破真空气体抽出并传输至废气处理室(70)入口,对废气处理室(70)入口进行吹扫。2.如权利要求1所述的干蚀刻设备,其特征在于,所述第四管路(54)通过第一三通接头(93)连通至所述第二管路(52),所述第二管路(52)在所述第一三通接头(93)处断开,断开的两端分别与所述第一三通接头(93)的两个端口相连,所述第四管路(54)与第一三通接头(93)的另一个端口相连。3.如权利要求1所述的干蚀刻设备,其特征在于,所述传输室(20)内设有传输装置(21),所述传输装置(21)用于将制程前基板和制程后基板在所述载体存放室(...

【专利技术属性】
技术研发人员:肖文欢
申请(专利权)人:武汉华星光电技术有限公司
类型:发明
国别省市:湖北;42

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