本发明专利技术公开了一种金属蚀刻设备内部磁场线圈保护装置，其包括金属蚀刻腔体，金属蚀刻腔体内部设置有用于气体传输的特气管道，以及用于产生磁场的磁场线圈；所述特气管道外部设置有管道防护装置，管道防护装置设置于磁场线圈于特气管道端面之上的投影位置；采用上述技术方案的金属蚀刻设备内部磁场线圈保护装置，其可通过管道防护装置的设置避免特气管道与磁场线圈相接触以导致的相互损坏，从而改善了相关部件的工作寿命，并提高了设备工作的安全性。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体加工设备，尤其是一种金属蚀刻设备内部磁场线圈保护装置。
技术介绍
金属蚀刻设备由于其设计缺陷，往往导致设备内部的磁场线圈与特气管道相接触，当特气管道外部的绝缘层由于机械振动等因素脱落后，磁场线圈在通电状态下与特气管道表层接触极易导致短路，从而致使相关部件受到损坏。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种金属蚀刻设备内部磁场线圈保护装置，其可有效避免磁场线圈与其余部件的接触而造成彼此损坏。为解决上述技术问题，本专利技术涉及一种金属蚀刻设备内部磁场线圈保护装置，其包括金属蚀刻腔体，金属蚀刻腔体内部设置有用于气体传输的特气管道，以及用于产生磁场的磁场线圈；所述特气管道外部设置有管道防护装置，管道防护装置设置于磁场线圈于特气管道端面之上的投影位置。作为本专利技术的一种改进，所述管道防护装置由第一管道防护层与第二管道防护层构成，其中，第一管道防护层设置于第二管道防护层与特气管道之间；所述第一管道防护层与第二管道防护层均采用“U”形结构，且其底端面均设置于特气管道与磁场线圈的相对端面之上。采用上述设计，其可通过多层管道防护装置对特气管道进行更稳定的保护效果，与此同时，第一管道防护层与第二管道防护层的“U”形结构使得特气管道与磁场线圈的相背端面与外界接触，从而使得其在受到保护的同时可得以实现良好的散热效果。作为本专利技术的一种改进，所述第一管道防护层的厚度大于第二管道防护层的厚度，其可使得防护层的保护效果得以进一步的提升。作为本专利技术的一种改进，所述第一管道防护层与第二管道防护层之上分别设置有固定端板，其均在水平方向上延伸，固定端板与金属蚀刻腔体的内壁之间通过螺栓进行连接。采用上述设计，其可通过第一管道防护层与第二管道防护层的固定方式以使得其稳定性得以进一步的改善。采用上述技术方案的金属蚀刻设备内部磁场线圈保护装置，其可通过管道防护装置的设置避免特气管道与磁场线圈相接触以导致的相互损坏，从而改善了相关部件的工作寿命，并提高了设备工作的安全性。【附图说明】图1为本专利技术示意图； 附图标记列表: 1 一金属蚀刻腔体、2—特气管道、3—磁场线圈、4 一第一管道防护层、5—第二管道防护层、6—固定端板。【具体实施方式】下面结合【具体实施方式】，进一步阐明本专利技术，应理解下述【具体实施方式】仅用于说明本专利技术而不用于限制本专利技术的范围。需要说明的是，下面描述中使用的词语“前”、“后”、“左”、“右”、“上”和“下”指的是附图中的方向，词语“内”和“外”分别指的是朝向或远离特定部件几何中心的方向。实施例1 如图1所示的一种金属蚀刻设备内部磁场线圈保护装置，其包括金属蚀刻腔体1，金属蚀刻腔体内部设置有用于气体传输的特气管道2，以及用于产生磁场的磁场线圈3 ;所述特气管道2外部设置有管道防护装置，管道防护装置设置于磁场线圈3于特气管道2端面之上的投影位置。作为本专利技术的一种改进，所述管道防护装置由第一管道防护层4与第二管道防护层5构成，其中，第一管道防护层4设置于第二管道防护层5与特气管道2之间；所述第一管道防护层4与第二管道防护层5均采用“U”形结构，且其底端面均设置于特气管道2与磁场线圈3的相对端面之上。采用上述设计，其可通过多层管道防护装置对特气管道进行更稳定的保护效果，与此同时，第一管道防护层与第二管道防护层的“U”形结构使得特气管道与磁场线圈的相背端面与外界接触，从而使得其在受到保护的同时可得以实现良好的散热效果。作为本专利技术的一种改进，所述第一管道防护层4的厚度大于第二管道防护层5的厚度，其可使得防护层的保护效果得以进一步的提升。采用上述技术方案的金属蚀刻设备内部磁场线圈保护装置，其可通过管道防护装置的设置避免特气管道与磁场线圈相接触以导致的相互损坏，从而改善了相关部件的工作寿命，并提高了设备工作的安全性。实施例2 作为本专利技术的一种改进，所述第一管道防护层4与第二管道防护层5之上分别设置有固定端板6，其均在水平方向上延伸，固定端板6与金属蚀刻腔体1的内壁之间通过螺栓进行连接。采用上述设计，其可通过第一管道防护层与第二管道防护层的固定方式以使得其稳定性得以进一步的改善。本实施例其余特征与优点均与实施例1相同。【主权项】1.一种金属蚀刻设备内部磁场线圈保护装置，其包括金属蚀刻腔体，金属蚀刻腔体内部设置有用于气体传输的特气管道，以及用于产生磁场的磁场线圈；其特征在于，所述特气管道外部设置有管道防护装置，管道防护装置设置于磁场线圈于特气管道端面之上的投影位置。2.按照权利要求1所述的金属蚀刻设备内部磁场线圈保护装置，其特征在于，所述管道防护装置由第一管道防护层与第二管道防护层构成，其中，第一管道防护层设置于第二管道防护层与特气管道之间；所述第一管道防护层与第二管道防护层均采用“U”形结构，且其底端面均设置于特气管道与磁场线圈的相对端面之上。3.按照权利要求2所述的金属蚀刻设备内部磁场线圈保护装置，其特征在于，所述第一管道防护层的厚度大于第二管道防护层的厚度。4.按照权利要求3所述的金属蚀刻设备内部磁场线圈保护装置，其特征在于，所述第一管道防护层与第二管道防护层之上分别设置有固定端板，其均在水平方向上延伸，固定端板与金属蚀刻腔体的内壁之间通过螺栓进行连接。【专利摘要】本专利技术公开了一种金属蚀刻设备内部磁场线圈保护装置，其包括金属蚀刻腔体，金属蚀刻腔体内部设置有用于气体传输的特气管道，以及用于产生磁场的磁场线圈；所述特气管道外部设置有管道防护装置，管道防护装置设置于磁场线圈于特气管道端面之上的投影位置；采用上述技术方案的金属蚀刻设备内部磁场线圈保护装置，其可通过管道防护装置的设置避免特气管道与磁场线圈相接触以导致的相互损坏，从而改善了相关部件的工作寿命，并提高了设备工作的安全性。【IPC分类】C23F1/08【公开号】CN105316676【申请号】CN201510806335【专利技术人】史进, 伍志军 【申请人】苏州赛森电子科技有限公司【公开日】2016年2月10日【申请日】2015年11月20日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种金属蚀刻设备内部磁场线圈保护装置，其包括金属蚀刻腔体，金属蚀刻腔体内部设置有用于气体传输的特气管道，以及用于产生磁场的磁场线圈；其特征在于，所述特气管道外部设置有管道防护装置，管道防护装置设置于磁场线圈于特气管道端面之上的投影位置。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：史进，伍志军，
申请(专利权)人：苏州赛森电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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