【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造,特别涉及一种离子注入机。
技术介绍
1、碳化硅(sic)透明片作为一种性能卓越的半导体材料,凭借其高耐热性、高硬度、宽禁带和优异的化学稳定性,在功率电子器件、高频通信和新能源汽车等领域获得了广泛关注,透明片特别适用于在苛刻环境下运行的设备,如高功率逆变器和雷达系统,然而,碳化硅透明片的制造工艺对精度和适配性要求极高,在半导体制造中,离子注入是一项关键工艺,用于调整材料的电学性能,现有的离子注入机设计主要针对硅片材料,其工艺流程和硬件配置通常假定工件具有易于检测的几何特征。
2、目前,市面上的离子注入机,如nissin 2300ah,应用于12英寸和6英寸硅片的离子注入工艺,这类设备通过感应工件的缺口(notch)来实现片材的传送和旋转定位,然而,透明片(如碳化硅透明片)由于其光学特性和设计特点,缺乏传统硅片具备的可检测缺口特征,导致设备无法完成定位操作。
3、因此,我们需要一种离子注入机,来解决离子注入机无法对透明片进行定位的问题,可以使离子注入机可以对透明片进行定位。
【技术保护点】
1.一种离子注入机,包括:
2.根据权利要求1所述的一种离子注入机,其特征在于,所述辅助定位装置直径大于所述样片直径1毫米。
3.根据权利要求1所述的一种离子注入机,其特征在于,所述第二定位部为一个宽大于20毫米长大于30毫米的缺口。
4.根据权利要求1所述的一种离子注入机,其特征在于,所述第一定位部设置在所述第二定位部的对侧。
5.根据权利要求1所述的一种离子注入机,其特征在于,所述固定装置通过螺丝将所述辅助定位装置进行固定。
6.根据权利要求1所述的一种离子注入机,其特征在于,所述软件调整模块的初始设置角
...【技术特征摘要】
1.一种离子注入机,包括:
2.根据权利要求1所述的一种离子注入机,其特征在于,所述辅助定位装置直径大于所述样片直径1毫米。
3.根据权利要求1所述的一种离子注入机,其特征在于,所述第二定位部为一个宽大于20毫米长大于30毫米的缺口。
4.根据权利要求1所述的一种离子注入机,其特征在于,所述第一定位部设置在所述第二定位部的对侧。
5.根据权利要求1所述的一种离子注入机,其特征在于,所述固定装置通过螺丝将所述辅助定位装置进行固定。
6.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员:栾广庆,赵辉,
申请(专利权)人:苏州赛森电子科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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