一种离子源磁场分布结构制造技术

本发明专利技术提供了一种离子源磁场分布结构，包括外磁钢、阳极、靶材、内磁钢、磁钢座、阴极和靶座构成，所述外磁钢及内磁钢安装于磁钢座内部，整体安装于靶座上，所述靶材安装于磁钢座上，由阴极充入冷却水冷却磁钢及靶材，同时通入负电压，由阳极通入正电压且与阴极绝缘，同时通入气体，阴极为纯铁或纯石墨。本发明专利技术气体由内外阴极间的狭缝通过时，迅速被聚在拱形磁场中间并被离化，通过这样的方式，实现离化率高的同时阴极极少溅射的目的，并具有通用性好，使用安全、方便和成本较低的显著有益效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种离子源磁场分布结构，属于真空

技术介绍
现有离子源磁场分布结构技术中，气体由内外阴极间的狭缝通过时，离子源阴极溅射容易导致一些恶劣情况，比如:污染基片；污染阳极；阴极与阳极绝缘不好，使工作不稳，甚至离子源无法起辉光开始工作。鉴于此，有必要对传统的离子源磁场分布结构进行改进，以此来解决目前存在的问题。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是克服现有的缺陷，提供一种离子源磁场分布结构，可以有效解决
技术介绍
中的问题。为了解决上述技术问题，本专利技术提供了如下的技术方案: 本专利技术提供一种离子源磁场分布结构，包括外磁钢、阳极、靶材、内磁钢、磁钢座、阴极和靶座构成。作为本专利技术的一种优选技术方案，所述外磁钢及内磁钢安装于磁钢座内部，整体安装于靶座上，所述靶材安装于磁钢座上。作为本专利技术的一种优选技术方案，所述阴极充入冷却水冷却磁钢及靶材，同时通入负电压。作为本专利技术的一种优选技术方案，所述阳极通入正电压且与阴极绝缘，同时通入气体。作为本专利技术的一种优选技术方案，所述阴极为纯铁或纯石墨，所述纯石墨的内外阴极狭缝为直边。本专利技术所达到的有益效果是: 1、本专利技术整体结构简单、外观简洁、便于自动控制； 2、本专利技术通用性好，使用安全、便于维护、成本较低的显著有益效果。【附图说明】附图用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本专利技术的实施例一起用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的限制。在附图中: 图1是本专利技术阴极为纯铁的具体实施例的整体结构示意图； 图2是本专利技术阴极为纯石墨的具体实施例的整体结构示意图； 图中标号:1、外磁钢；2、阳极；3、靶材；4、内磁钢；5、磁钢座；6、阴极；7、靶座。【具体实施方式】以下结合附图对本专利技术的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。实施例1:如图1所不，一种离子源磁场分布结构，包括外磁钢1、阳极2、革E1材3、内磁钢4、磁钢座5、阴极6和靶座7构成，所述外磁钢1及内磁钢4安装于磁钢座5内部，整体安装于靶座7上，所述靶材3安装于磁钢座5上，该结构中阴极6为纯铁。该结构运行时，由阴极6充入冷却水冷却磁钢及靶材3，同时通入负电压；由阳极2通入正电压且与阴极6绝缘，同时通入气体，气体由内外阴极间的狭缝通过时，迅速被聚在拱形磁场中间并被离化，通过这样的方式，实现离化率高的同时阴极不溅射的目的，并具有通用性好，使用安全、方便和成本较低的显著有益效果。实施例2:如图2所不，一种离子源磁场分布结构，包括外磁钢1、阳极2、革巴材3、内磁钢4、磁钢座5、阴极6和靶座7构成，该结构中的阴极6由原来的纯铁更换为纯石墨，同时纯石墨的内外阴极狭缝为直边。该结构运行时，由阴极6充入冷却水冷却磁钢及靶材3，同时通入负电压；由阳极2通入正电压且与阴极6绝缘，同时通入气体，气体由内外阴极间的狭缝通过时，迅速被聚在拱形磁场中间并被离化，通过这样的方式，实现离化率高的同时阴极不溅射的目的，并具有通用性好，使用安全、方便和成本较低的显著有益效果。最后应说明的是:以上所述仅为本专利技术的优选实施例而已，并不用于限制本专利技术，尽管参照前述实施例对本专利技术进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。【主权项】1.一种离子源磁场分布结构，其特征在于，包括外磁钢(1)、阳极(2 )、靶材(3 )、内磁钢(4)、磁钢座(5)、阴极(6)和靶座(7)构成。2.根据权利要求1所述的一种离子源磁场分布结构，其特征在于，所述外磁钢(1)及内磁钢(4 )安装于磁钢座(5 )内部，整体安装于靶座(7 )上，所述靶材(3 )安装于磁钢座(5 )上。3.根据权利要求1或2所述的一种离子源磁场分布结构，其特征在于，所述阴极(6)充入冷却水冷却磁钢及靶材(3)，同时通入负电压。4.根据权利要求1或2所述的一种离子源磁场分布结构，其特征在于，所述阳极(2)通入正电压且与阴极(6)绝缘，同时通入气体。5.根据权利要求1所述的一种离子源磁场分布结构，其特征在于，所述阴极(6)为纯铁或纯石墨，所述纯石墨的内外阴极狭缝为直边。【专利摘要】本专利技术提供了一种离子源磁场分布结构，包括外磁钢、阳极、靶材、内磁钢、磁钢座、阴极和靶座构成，所述外磁钢及内磁钢安装于磁钢座内部，整体安装于靶座上，所述靶材安装于磁钢座上，由阴极充入冷却水冷却磁钢及靶材，同时通入负电压，由阳极通入正电压且与阴极绝缘，同时通入气体，阴极为纯铁或纯石墨。本专利技术气体由内外阴极间的狭缝通过时，迅速被聚在拱形磁场中间并被离化，通过这样的方式，实现离化率高的同时阴极极少溅射的目的，并具有通用性好，使用安全、方便和成本较低的显著有益效果。【IPC分类】H01J37/34, C23C14/35【公开号】CN105441889【申请号】CN201510966434【专利技术人】刘野, 刘晓华, 马槽伟 【申请人】大连维钛克科技股份有限公司【公开日】2016年3月30日【申请日】2015年12月22日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种离子源磁场分布结构，其特征在于，包括外磁钢（1）、阳极（2）、靶材（3）、内磁钢（4）、磁钢座（5）、阴极（6）和靶座（7）构成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘野，刘晓华，马槽伟，
申请(专利权)人：大连维钛克科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：辽宁;21