半导体封装中控制凸点蚀刻底切的方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体封装中控制凸点蚀刻底切的方法，给设置凸点的晶圆以预定流量喷淋药液到晶圆表面，对整张晶圆进行刻蚀，所述晶圆以预定转速进行旋转，所述预定流量为0.8-1.2L/min，所述预定转速为300-700转/分钟。所述凸点的密度为pitch 50um以下。所述预定流量为0.8-1.2L/min，所述预定转速为500转/分钟。还包括对晶圆中心进行二次喷淋。所述二次喷淋的预定流量为0.3-0.5L/min，所述二次喷淋的预定转速为100-300转/分钟。所述二次喷淋的预定流量为0.4L/min，所述二次喷淋的预定转速为200转/分钟。本发明专利技术通过晶圆wafer转速调整和喷淋药液的流量来控制实现整张wafer晶圆的钛溅射层均匀蚀刻，保证蚀刻率和蚀刻底切的均一性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术设及半导体封装领域，特别设及一种半导体封装中控制凸点蚀刻底切的方 法。
技术介绍
半导体封装工艺中，为了保证凸点bump结合力和底层板pad的保护，需要严格控 审Ij bump蚀刻工序的底化如果底切过大，会造成bump结合力差，后续制程中bump脱落，或 来料金属pad露出被腐蚀造成可靠性问题。 通常底切可通过蚀刻液中的添加剂和蚀刻的时间溫度参数来控制。但当bump密 度提高（即bump pitch凸点间距变小）到某一程度时，仅通过蚀刻液和添加剂的调整，就 无法保证铁蚀刻率和蚀刻底切的均一性。
技术实现思路
在下文中给出关于本专利技术的简要概述，W便提供关于本专利技术的某些方面的基本理 解。应当理解，运个概述并不是关于本专利技术的穷举性概述。它并不是意图确定本专利技术的关 键或重要部分，也不是意图限定本专利技术的范围。其目的仅仅是W简化的形式给出某些概念， W此作为稍后论述的更详细描述的前序。 阳〇化]本专利技术实施例的目的是针对上述现有技术的缺陷，提供一种保证蚀刻率和蚀刻底 切的均一性的。 为了实现上述目的，本专利技术采取的技术方案是： 一种，给设置凸点的晶圆W预定流量喷淋 药液到晶圆表面，对整张晶圆进行刻蚀，所述晶圆W预定转速进行旋转，所述预定流量为 0. 8-1.化/min,所述预定转速为300-700转/分钟。 所述凸点之间的间距为50um W下。 所述预定流量为0. 8-1.化/min,所述预定转速为500转/分钟。 进一步地，还包括对晶圆中屯、进行二次喷淋。 所述二次喷淋的预定流量为0. 3-0.化/min,所述二次喷淋的预定转速为100-300 转/分钟。 所述二次喷淋的预定流量为0.化/min,所述二次喷淋的预定转速为200转/分钟。 与现有技术相比，本专利技术的有益效果是： 本专利技术通过晶圆wafer转速调整和喷淋药液的流量来控制实现整张wafer的铁瓣 射层均匀蚀刻，保证蚀刻率和蚀刻底切的均一性。【附图说明】 为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本 专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可W根据运些附图获得其他的附图。 图1为本专利技术实施例提供的蚀刻率均一性箱线图； 图2为本专利技术实施例提供的产品结构示意图。【具体实施方式】 为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例 中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是 本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。在本专利技术的一个附图或一种实施方式中描述 的元素和特征可W与一个或更多个其它附图或实施方式中示出的元素和特征相结合。应当 注意，为了清楚的目的，附图和说明中省略了与本专利技术无关的、本领域普通技术人员已知的 部件和处理的表示和描述。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有付出创造 性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。 一种，给设置凸点的晶圆W预定流量喷 淋药液晶圆表面，对整张晶圆进行刻蚀，所述晶圆W预定转速进行旋转，所述预定流量为 0. 8-1.化/min,所述预定转速为300-700转/分钟。 所述凸点与凸点之间的间距为50umW下。 优选地，预定流量为0. 8-1.化/min,所述预定转速为500转/分钟。 进一步地，还包括对晶圆中屯、进行二次喷淋。 优选地，二次喷淋的预定流量为0. 3-0.化/min,所述二次喷淋的预定转速为 100-300转/分钟。 更优选地，所述二次喷淋的预定流量为0.化/min,所述二次喷淋的预定转速为 200转/分钟。本专利技术通过管控整个蚀刻过程中的wafer转速和药液喷淋流量来控制蚀刻率均 一性和底切的均一性。 下面通过具体实验来说明本专利技术的效果： 实验1 :通过没有bump的wafer测试蚀刻率的均一性 阳029]其中：sample:样本，stepl步骤 1，巧m(revolutionsperminute每分钟转速）。 参见图1，从图1可W看出，步骤5、6的均一'性最佳，当wafer转速在50化pm，药液 喷淋流量为0. 8-1.化/min时有较好的蚀刻率均一性。 图1的横坐标sample代表各个样品，纵坐标代表蚀刻率，MinOUtier表示最小异 常值，MaxOUtier表示最大异常值。 实验2 :通过蚀刻终止点，确认有bump锻层的wafer蚀刻率实际分布 实验发现wafer中屯、与wafer边缘的蚀刻终止点差异较大，中屯、需要两倍时间蚀 亥IJ，所W增加一步低转速，低流量的喷淋，结果增加第二步0.化/min X 20化pm的喷淋后， wafer中屯、与wafer边缘蚀刻终止点一致，最终测量wafer内13点under州t底切尺寸均 一性在2%W内。即通过调整转速和流量，最终边缘和中屯、的蚀刻终止点相同。终止点指蚀 刻刚刚结束的时间点。 综上所述，对于高密度bump的蚀刻，需要在选择控制底切的药液同时，还需要通 过流量与wafer转速比例来获得良好的蚀刻均一性，W获得最短的工艺时间，从而更好的 控制蚀刻底切。本专利技术蚀刻速率差不多的药液都可W使用，当bumppitch凸点间距过小时， 需要通过流量和转速的调整来控制底切，运时药液中的添加剂无法起主要作用。 参见图2,本专利技术通过参数调整在保证蚀刻效果的前提下，保证了对凸点底部铁的 较少蚀刻。底切1大的地方底部铁尺寸会偏小，影响可靠性和强度。本专利技术底切1底部铁 尺寸大，可靠性和强度高。 最后应说明的是：W上实施例仅用W说明本专利技术的技术方案，而非对其限制；尽 管参照前述实施例对本专利技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然 可W对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替 换；而运些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本专利技术各实施例技术方案的精 神和范围。【主权项】1. 一种，其特征在于，给设置凸点的晶圆以预 定流量喷淋药液到晶圆表面，对整张晶圆进行刻蚀，所述晶圆以预定转速进行旋转，所述预 定流量为0. 8-1. 2L/min，所述预定转速为300-700转/分钟。2. 根据权利要求1所述的，其特征在于，所述 凸点之间的间距为50um以下。3. 根据权利要求2所述的，其特征在于，所述 预定流量为〇. 8-1. 2L/min，所述预定转速为500转/分钟。4. 根据权利要求1-3任一项所述的，其特征在 于，还包括对晶圆中心进行二次喷淋。5. 根据权利要求4所述的，其特征在于，所述 二次喷淋的预定流量为〇. 3-0. 5L/min，所述二次喷淋的预定转速为100-300转/分钟。6. 根据权利要求5所述的，其特征在于，所述 二次喷淋的预定流量为〇. 4L/min，所述二次喷淋的预定转速为200转/分钟。【专利摘要】本专利技术公开了一种，给设置凸点的晶圆以预定流量喷淋药液到晶圆表面，对整张晶圆进行刻蚀，所述晶圆以预定转速进行旋转，所述预定流量为0.8-1.2L/min，所述预定转速为300-700转/分钟。所述凸点的密度为pitch？50um以下。所述预定流量为0.8-1.2L/mi本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装中控制凸点蚀刻底切的方法，其特征在于，给设置凸点的晶圆以预定流量喷淋药液到晶圆表面，对整张晶圆进行刻蚀，所述晶圆以预定转速进行旋转，所述预定流量为0.8‑1.2L/min，所述预定转速为300‑700转/分钟。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐小锋，
申请(专利权)人：南通富士通微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32