透明导电板的激光蚀刻方法及其所制成的透明导电板技术

一种透明导电板的激光蚀刻方法及其所制成的透明导电板，透明导电板的激光蚀刻方法的步骤包括：提供设有透明导电层的透明导电板；持续地发出数次激光光束至透明导电层；其中，将这些次激光光束中心点沿前路径与重叠衔接于前路径起始处的后路径行进，以蚀刻形成首尾相接沟槽；或者，将这些次激光光束中心点依序沿横向路径与未相交于横向路径的纵向路径行进，以蚀刻形成T字形沟槽；或者，将这些次激光光束中心点依序沿第一路径、曲线路径、及大致垂直于第一路径的第二路径行进，以蚀刻形成类直角沟槽。

【技术实现步骤摘要】
201510029485

【技术保护点】
一种透明导电板的激光蚀刻方法，其特征在于，包括：提供一透明导电板，其中该透明导电板具有一透明的绝缘基材及形成于该绝缘基材上的一透明导电层；于该透明导电层定义出一预设蚀刻路径，其中该预设蚀刻路径包含有一预设首尾相接路径、一预设T字形路径、及一预设直角路径的至少其中之一；以及以一激光设备持续地发出数次激光光束至该透明导电板的透明导电层，并且将投射至该透明导电层上的这些次激光光束中心点依循部分该预设蚀刻路径行进；其中，当在实施该预设首尾相接路径的蚀刻时，将这些次激光光束中心点在该透明导电层上沿一前路径与重叠衔接于该前路径起始处的一后路径行进，以蚀刻形成一首尾相接沟槽；当在实施该预设T字形路径的蚀刻时，将这些次激光光束中心点在该透明导电层上依序沿一横向路径与一未相交于该横向路径的纵向路径行进，以蚀刻形成一T字形沟槽；其中，该横向路径与该纵向路径的最短距离，其小于投射至该透明导电层上的激光光束直径并大于投射至该透明导电层上的激光光束半径；及当在实施该预设直角路径的蚀刻时，将这些次激光光束中心点在该透明导电层上依序沿一第一路径、一曲线路径、及大致垂直于该第一路径的一第二路径行进，以蚀刻形成一类直角沟槽。...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈耀宗，张裕洋，刘修铭，卢建荣，
申请(专利权)人：位元奈米科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71