核径迹蚀刻膜的制作方法技术

本发明专利技术涉及核径迹蚀刻膜的制作方法，包括以下步骤：辐照，用加速器产生的荷能离子或反应堆产生的裂变碎片辐照聚合物薄膜；涂抗蚀刻涂层，在聚合物薄膜的一面涂敷抗蚀刻涂层；蚀刻，将经过辐照的聚合物薄膜浸没在蚀刻液Ⅰ中进行蚀刻；除抗蚀刻涂层，将在蚀刻液Ⅰ中蚀刻后的聚合物薄膜表面的抗蚀刻材料去除；烘干，将蚀刻完毕的薄膜聚合物烘干。本发明专利技术提供的制作方法，其工艺简单，易于实施，成本低，采用该方法可制作出具有小口端截面圆直径(D1)为0.1-15微米、大口端截面圆直径(D2)为0.2-20微米的单锥形微孔的核径迹蚀刻膜。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
核径迹蚀刻膜的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：辐照：用加速器产生的荷能离子辐照聚合物薄膜，使辐照产生的潜径迹贯穿聚合物薄膜；涂抗蚀刻涂层：在聚合物薄膜的一面涂敷抗蚀刻涂层；蚀刻：将经过辐照的聚合物薄膜浸没在蚀刻液Ⅰ中进行蚀刻；除抗蚀刻涂层：将在蚀刻液Ⅰ中蚀刻后的聚合物薄膜表面的抗蚀刻涂层去除；烘干：将蚀刻完毕的聚合物薄膜烘干。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：梁海英，吴振东，焦学胜，陈东风，鞠薇，傅元勇，王雪杰，
申请(专利权)人：中国原子能科学研究院，
类型：发明
国别省市：北京;11