In large format high-speed high-precision silver galvanometer laser etching, etching is greater than the mirror area of single process, block etched pattern stitching accuracy is very high, while the equipment vibration mirror will bring good accuracy is lower than the etching rate decreased sharply reduces the processing requirements and the accuracy of galvanometer. The invention relates to a silver laser etched pattern stitching method is lower than the demand in the mirror machining precision, bending modified by splicing point block graphic elements mosaic, mosaic that require less processing requirements. The invention provides a silver laser etched pattern stitching method, the requirement for high precision etching equipment large format laser etching processing is greatly reduced and the processing speed is improved greatly, bring very good economic benefits.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于激光蚀刻加工领域，具体说明本专利技术涉及一种银浆激光蚀刻图形拼接方法。
技术介绍
在触摸屏的生产过程中，ITO和银浆线的制程工艺是影响产品加工效率、良率和成本的主要因素。目前主要的工艺有丝印工艺、酸蚀刻工艺、激光蚀刻工艺等几种。由于精度的原因丝印工艺主要应用于低精度粗线宽的加工中；由于污染的影响，酸蚀刻工艺逐步被激光蚀刻工艺所取代。比如在5寸以下的手机触摸屏加工中，激光蚀刻的应用非常普遍，而在大幅面的触摸屏的加工中，酸蚀刻工艺还占据着主要位置，由于受到激光振镜幅面和精度的制约，在大幅面高精度的蚀刻加工中，目前主要通过分块酸蚀刻的方法来加工，这大大限制了加工的效率和良率。
技术实现思路
在大幅面高速高精密银浆振镜激光蚀刻加工中，蚀刻图形大于振镜单次加工幅面时，分块蚀刻图形拼接精度要求非常高。在设备振镜精度低于加工要求和振镜精度降低时会带来蚀刻良率急剧下降，为解决这个问题，本专利技术提出了一种银浆激光蚀刻图形拼接方法，在振镜精度低于加工需求时，通过对分块图形元素拼接的拼接点进行折弯修改，使拼接要求降低，满足加工要求。一种银浆激光蚀刻图形拼接方法，其特征在于蚀刻银浆的图形大于振镜单次加工的幅面。通过将银浆图形分成多个小于振镜幅面的分块图形进行蚀刻加工，蚀刻中图形元素被分割在多个分块中进行加工，加工的图形需要精密拼接。其特征在于图形蚀刻加工过程中由于振镜的定位精度低于图形元素拼接的要求。其特征在于将蚀刻图形在不影响产品功能的情况下，将分块图形元素中元素的端点按需进行0-360度任意角度折弯修改。其特征在于分块图形元素中元素端点折弯的长度在加工要求的精度...
【技术保护点】
一种银浆激光蚀刻图形拼接方法，其特征在于蚀刻银浆的图形大于振镜单次加工的幅面。
【技术特征摘要】
1.一种银浆激光蚀刻图形拼接方法，其特征在于蚀刻银浆的图形大于振镜单次加工的幅面。2.通过将银浆图形分成多个小于振镜幅面的分块图形进行蚀刻加工，蚀刻中图形元素被分割在多个分块中进行加工，加工的图形需要精密拼接。3.根据权利要求1所述的一种银浆激光蚀刻图形拼接方法，其特征在于适合图形蚀刻加工过程中由于振镜的定位精度低于图形元素拼接的要求。4.根据权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈刚，任清荣，袁聪，
申请(专利权)人：武汉吉事达科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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