本实用新型专利技术公开了一种电路板蚀刻喷淋架结构，包括前蚀刻喷淋段和后蚀刻喷淋段，前蚀刻喷淋段中设有一个前上喷淋架、一个前下喷淋架和一个电路基板加强压辊，前上喷淋架上的喷管上设有加长的扇形喷嘴，前下喷淋架上的喷管上设有短喷嘴，后蚀刻喷淋段中设有一个后密排上喷淋架和一个后密排下喷淋架，后密排上喷淋架和后密排下喷淋架中也都设有波浪形错位排列的短喷嘴；本实用新型专利技术在前上喷淋架上设置加长的扇形喷嘴，前密排下喷淋架上减少一排短喷嘴，在后密排上喷淋架和后密排下喷淋架上设置波浪形错位排列的短喷嘴，后密排下喷淋架上也减少一排短喷嘴，使喷嘴设置更加合理，蚀刻液喷淋更加均匀，喷淋效果好，电路基板蚀刻更加稳定可靠。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电路板生产制造
，尤其涉及一种电路板蚀刻喷淋架结构。
技术介绍
在电路板生产的湿制程中，需要将蚀刻液喷淋在电路基板上进行蚀刻，将电路基板上不需要的铜箔去除，得到需要的电路板线路。现有的电路板蚀刻装置中一般都设有上下喷淋架，上下喷淋架中都设有能够喷出蚀刻液的喷管，但现有的上下喷淋架存在喷淋架中喷管设置不合理，下喷淋架设置过多等缺陷，导致蚀刻液喷淋不均匀，蚀刻效果不好。
技术实现思路
为克服现有技术的不足，本技术提供了一种喷淋均匀稳定、喷淋效果好的电路板蚀刻喷淋架结构。本技术为达到上述技术目的所采用的技术方案是:一种电路板蚀刻喷淋架结构，包括前蚀刻喷淋段和后蚀刻喷淋段，所述前蚀刻喷淋段中设有一个前上喷淋架、一个前下喷淋架和一个电路基板加强压辊，所述前上喷淋架上的喷管上设有加长的扇形喷嘴，所述前下喷淋架上的喷管上设有短喷嘴，所述后蚀刻喷淋段中设有一个后密排上喷淋架和一个后密排下喷淋架，所述后密排上喷淋架和后密排下喷淋架中都设有波浪形错位排列的短喷嘴。所述前上喷淋架上设有八排所述喷管，每排喷管上设有十四个所述扇形喷嘴。所述前下喷淋架上设有七排所述喷管，每排喷管上设有十四个所述短喷嘴。所述后密排上喷淋架上设有十四列波浪形上喷管，每列波浪形上喷管上设有八个所述短喷嘴。所述后密排下喷淋架上设有十四列波浪形下喷管，每列波浪形下喷管上设有七个所述短喷嘴。本技术的有益效果是:采用上述结构后，通过在前蚀刻喷淋段的前上喷淋架上设置加长的扇形喷嘴，前密排下喷淋架上减少一排短喷嘴，在后密排上喷淋架和后密排下喷淋架上设置波浪形错位排列的短喷嘴，后密排下喷淋架上也减少一排短喷嘴，使前蚀刻喷淋段和后蚀刻喷淋段的喷嘴设置更加合理，蚀刻液喷淋更加均匀，喷淋效果好，电路基板蚀刻更加稳定可靠。【附图说明】下面结合附图和实施例对本技术作进一步说明。其中:图1是本技术电路板蚀刻喷淋架结构的结构示意图；图2是本技术后密排上喷淋架的结构示意图；图3是本技术后密排下喷淋架的结构示意图。【具体实施方式】为详细说明本技术的
技术实现思路
、构造特征、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图详细说明。请参阅图1至图3所示，本技术电路板蚀刻喷淋架结构包括前蚀刻喷淋段I和后蚀刻喷淋段2，所述前蚀刻喷淋段I中设有一个前上喷淋架11、一个前下喷淋架12和一个电路基板加强压辊13，所述前上喷淋架11上的喷管111上设有加长的扇形喷嘴3，所述前下喷淋架12上的喷管111上设有短喷嘴4，所述后蚀刻喷淋段2中设有一个后密排上喷淋架21和一个后密排下喷淋架22，所述后密排上喷淋架21和后密排下喷淋架21中都设有波浪形错位排列的短喷嘴4。所述前上喷淋架11上设有八排所述喷管111，每排喷管111上设有十四个所述扇形喷嘴2。所述前下喷淋架12上设有七排所述喷管111，每排喷管111上设有十四个所述短喷嘴4。所述后密排上喷淋架21上设有十四列波浪形上喷管211，每列波浪形上喷管211上设有八个所述短喷嘴4。所述后密排下喷淋架22上设有十四列波浪形下喷管221，每列波浪形下喷管221上设有七个所述短喷嘴4。以上所述仅为本技术的实施例，并非因此限制本技术的专利范围，凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接或间接运用在其他相关的
，均同理包括在本技术的专利保护范围内。【主权项】1.一种电路板蚀刻喷淋架结构，其特征在于:包括前蚀刻喷淋段和后蚀刻喷淋段，所述前蚀刻喷淋段中设有一个前上喷淋架、一个前下喷淋架和一个电路基板加强压辊，所述前上喷淋架上的喷管上设有加长的扇形喷嘴，所述前下喷淋架上的喷管上设有短喷嘴，所述后蚀刻喷淋段中设有一个后密排上喷淋架和一个后密排下喷淋架，所述后密排上喷淋架和后密排下喷淋架中都设有波浪形错位排列的短喷嘴。2.根据权利要求1所述的一种电路板蚀刻喷淋架结构，其特征在于:所述前上喷淋架上设有八排所述喷管，每排喷管上设有十四个所述扇形喷嘴。3.根据权利要求1所述的一种电路板蚀刻喷淋架结构，其特征在于:所述前下喷淋架上设有七排所述喷管，每排喷管上设有十四个所述短喷嘴。4.根据权利要求1所述的一种电路板蚀刻喷淋架结构，其特征在于:所述后密排上喷淋架上设有十四列波浪形上喷管，每列波浪形上喷管上设有八个所述短喷嘴。5.根据权利要求1所述的一种电路板蚀刻喷淋架结构，其特征在于:所述后密排下喷淋架上设有十四列波浪形下喷管，每列波浪形下喷管上设有七个所述短喷嘴。【专利摘要】本技术公开了一种电路板蚀刻喷淋架结构，包括前蚀刻喷淋段和后蚀刻喷淋段，前蚀刻喷淋段中设有一个前上喷淋架、一个前下喷淋架和一个电路基板加强压辊，前上喷淋架上的喷管上设有加长的扇形喷嘴，前下喷淋架上的喷管上设有短喷嘴，后蚀刻喷淋段中设有一个后密排上喷淋架和一个后密排下喷淋架，后密排上喷淋架和后密排下喷淋架中也都设有波浪形错位排列的短喷嘴；本技术在前上喷淋架上设置加长的扇形喷嘴，前密排下喷淋架上减少一排短喷嘴，在后密排上喷淋架和后密排下喷淋架上设置波浪形错位排列的短喷嘴，后密排下喷淋架上也减少一排短喷嘴，使喷嘴设置更加合理，蚀刻液喷淋更加均匀，喷淋效果好，电路基板蚀刻更加稳定可靠。【IPC分类】H05K3/06, C23F1/08【公开号】CN205196110【申请号】CN201521001980【专利技术人】陈明全 【申请人】福建闽威电路板实业有限公司【公开日】2016年4月27日【申请日】2015年12月7日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种电路板蚀刻喷淋架结构，其特征在于：包括前蚀刻喷淋段和后蚀刻喷淋段，所述前蚀刻喷淋段中设有一个前上喷淋架、一个前下喷淋架和一个电路基板加强压辊，所述前上喷淋架上的喷管上设有加长的扇形喷嘴，所述前下喷淋架上的喷管上设有短喷嘴，所述后蚀刻喷淋段中设有一个后密排上喷淋架和一个后密排下喷淋架，所述后密排上喷淋架和后密排下喷淋架中都设有波浪形错位排列的短喷嘴。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈明全，
申请(专利权)人：福建闽威电路板实业有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35
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