蚀刻装置及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术得到在不改变工序条件或掩模条件的情况下，能够容易控制蚀刻形状的蚀刻装置以及半导体装置的制造方法。在真空室（１０）内设有放置被处理物（２０）的载物台（２２）。在真空室（１０）内的载物台（２２）上方设有ＩＣＰ电极（２４）（第一电极）。在ＩＣＰ电极（２４）与真空室（１０）的天花（１２）之间，设有平面状电极（２６）（第二电极）。在真空室（１０）内设有导入处理气体的给气部件（１６）。高频电源（３２）与ＩＣＰ电极（２４）连接，且经由可变电容（３６）（可变电容元件）还连接到平面状电极（２６）。高频电源（３２）向ＩＣＰ电极（２４）及平面状电极（２６）供给高频电力，从而在真空室（１０）内发生处理气体的电感耦合等离子体。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发生电感耦合等离子体(ICP: Inductively Coupled Plasma)的蚀刻装置和采用该蚀刻装置的半导体装置的制造方法。
技术介绍
在半导体装置的制造工艺中，以图案化的抗蚀剂为掩模，进行外 延层等薄膜的干蚀刻。在这种干蚀刻中，使用发生电感耦合等离子体 的蚀刻装置(例如，参照专利文献1:日本特开平8-316210号公报)。半导体装置的电气特性大受蚀刻形状的影响。但是，在不改变离 子能量或游离基(radical)量等工序条件、掩模材料或形状等掩模条 件的情况下控制蚀刻形状是非常困难的。
技术实现思路
本专利技术为解决上述问题构思而成，其目的在于得到在不改变工序 条件或掩模条件的情况下，能够容易控制蚀刻形状的蚀刻装置以及半 导体装置的制造方法。第一专利技术是一种蚀刻装置，其特征在于包括真空室；设于所述 真空室内的、放置被处理物的载物台(stage);设置在所述真空室内 所述载物台上方的第一电极；设置在所述第一电极和所述真空室天花 之间的第二电极；向所述真空室内导入处理气体的给气部件；与所述 第二电极连接的可变电容元件；以及与所述第一电极连接，且经由所 述可变电容本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蚀刻装置，其特征在于包括：　真空室；　设于所述真空室内的、放置被处理物的载物台；　设置在所述真空室内所述载物台上方的第一电极；　设置在所述第一电极和所述真空室天花之间的第二电极；　向所述真空室内导入处理气体 的给气部件；　与所述第二电极连接的可变电容元件；以及　与所述第一电极连接，且经由所述可变电容元件连接到所述第二电极的高频电源，　所述高频电源向所述第一电极和所述第二电极供给高频电力，从而在所述真空室内发生所述处理气体的电感 耦合等离子体。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：堀江淳一，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]