一种等离子体刻蚀设备制造技术

一种等离子体刻蚀设备,用于对基片进行等离子体刻蚀，至少包括：放置载盘的非真空第一腔体、传送载盘的第二腔体、刻蚀载盘上基片的真空第三腔体，本实用新型专利技术通过在第二腔体内增设遮罩装置，当第二腔体由真空环境向非真空环境切换破气时，遮罩装置中的遮罩下降并恰好罩于载盘上，保护载盘上的基片，防止破气时进入腔体的气体中的脏污对载盘上基片的污染；另外，将第二腔体的进气孔设置于远离载盘的位置，并在进气孔上方增设栅网，同样防止扬尘产生,避免破气时对基片的污染。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种等离子体刻蚀设备。
技术介绍
半导体元件加工过程中，常采用等离子体刻蚀法对衬底进行刻蚀以制备图形化衬底，或者对晶圆进行刻蚀，以制备所需图案的晶圆。等离子体刻蚀法通常采用等离子体刻蚀设备进行刻蚀。目前，常见的等离子刻蚀设备通常包括3个腔体:放置载盘的第一腔体，传送载盘的第二腔体和刻蚀载盘上基片的第三腔体。在设备运作过程中，第一腔体为非真空环境，而第三腔体必须通过抽真空系统形成真空环境，因此当第二腔体作为传送腔时，需要在真空环境和非真空环境下进行切换。当第二腔体由真空环境向非真空环境切换时，气体通过进气孔进入第二腔体内进行破气，目前破气时等离子体刻蚀设备的进气孔靠近载盘位置，破气时造成气流扰动，产生扬尘，易对载盘上的基片污染；同时载盘上方无任何保护装置，气体中的颗粒等杂质掉落基片上也易对其造成污染。
技术实现思路
为解决现有等离子体刻蚀设备的不足，本技术提供一种改进的等离子体刻蚀设备，通过在第二腔体内增加遮罩装置对载盘上的基片进行保护，防止载盘上的基片在第二腔体破气时气体中脏污对其的污染，提高基片的刻蚀良率。具体技术方案如下:—种等离子体刻蚀设备，用于对基片进行等离子体刻蚀，至少包括:承载复数个基片的载盘、放置复数个载盘的第一腔体、传送所述载盘的第二腔体、以及刻蚀所述基片的第三腔体，所述第一腔体、第二腔体和第三腔体分别通过自由开关的隔板连接，通过控制所述隔板开关状态，实现所述第一腔体、第二腔体和第三腔体的连通或隔离;所述第二腔体内设置有传送装置，用于在第一腔体和第三腔体之间传送所述载盘;第一腔体为非真空腔体、第三腔体为真空腔体、而第二腔体在真空腔体和非真空腔体之间切换;其特征在于:所述第二腔体内于所述载盘上方还设置一遮罩装置，当所述遮罩装置罩于所述载盘上时，保护所述载盘上的基片免受污染。优选的，所述遮罩装置包括一驱动机构、一伸缩连杆、一遮罩，所述驱动机构和遮罩连接于所述伸缩连杆的两端，所述驱动机构通过所述伸缩连杆驱动所述遮罩的升降。优选的，所述遮罩包括遮板和沿所述遮板周边向下延伸的侧板。优选的，所述侧板上具有复数个供气体进出以平衡所述遮罩内外压强的筛孔。优选的，所述筛孔均匀分布或者不均匀分布。优选的，所述遮罩的大小与所述载盘匹配。优选的，所述第二腔体内具有供气体进出的进气孔和出气孔。优选的，所述气孔远离所述载盘位置，并且所述进气孔上方具有栅网。优选的，所述第一腔体内设置复数个用于放置所述载盘的载盘架。优选的，所述传送装置为机械手。本技术至少具有以下有益效果:通过在第二腔体内增设遮罩装置，当第二腔体由真空环境向非真空环境切换破气时，遮罩装置中的遮罩下降并恰好罩于载盘上，保护载盘上的基片，防止破气时进入腔体的气体以及腔体中的脏污对载盘上基片的污染；另外，将第二腔体的进气孔设置于远离载盘的位置，并在进气孔上方增设栅网，同样防止扬尘产生，避免破气时对基片的污染。【附图说明】图1为本技术之等离子体刻蚀设备俯视结构示意图。图2为本技术之第一腔体侧视结构示意图。图3为本技术之第二腔体侧示结构意视图。图4为本技术之遮罩立体结构示意图。附图标注:10.第一腔体；11.载盘；12.载盘架；20.第二腔体；21.传送装置；22.遮罩装置；221.驱动机构；222.伸缩连杆；223.遮罩;2231.遮板；2232.侧板；22320.筛孔；23.进气孔；231.栅网；24.出气孔;25.真空系统;30.第三腔体;40.挡板。【具体实施方式】以下结合附图和具体实施例对本技术进行详细说明。需说明的是，本技术的附图均采用非常简化的非精准比例，仅用以方便、明晰的辅助说明本技术。参看附图1，本技术提供一种等离子体刻蚀设备，用于对基片进行等离子体刻蚀，至少包括:第一腔体10、第二腔体20和第三腔体30，其中第一腔体10和第二腔体20、以及第二腔体20和第三腔体30分别通过自由开关的隔板40连接，通过控制隔板40的开关状态使第一腔体10、第二腔体20和第三腔体30连通或者隔离。第一腔体10内放置复数个承载基片的载盘11，第二腔体20内设置有传送装置21，用于在第一腔体10和第三腔体30之间传送载盘11，本实施例中优选传送装置21为机械手，第三腔体30则对基片进行刻蚀。其中第一腔体10为非真空腔体，第三腔体30为真空腔体，而第二腔体20在真空腔体和非真空腔体之间切换，即当第一腔体10和第二腔体20之间的隔板40打开时，第二腔体20为非真空腔体，而当第二腔体20和第三腔体30之间的隔板40打开时，第二腔体20则切换为真空腔体。参看附图2，第一腔体10内设置复数个用于放置载盘11的载盘架12，载盘架12平行排列，每一载盘架12上放置一个载盘11。本实施例中，优选设置5个载盘架21，并且从上至下分别编号为A、B、C、D和E，以便识别。参看附图3，在第二腔体20内于载盘11上方还设置一遮罩装置22，当第二腔体20由真空腔体向非真空腔体切换时，遮罩装置22罩于载盘11上，防止气体及腔体中的脏污掉落到基片表面，保护基片免受脏污污染。遮罩装置22包括一驱动机构221、一伸缩连杆222、一遮罩223，驱动机构221和遮罩223连接于伸缩连杆222的两端，驱动机构221通过伸缩连杆222驱动遮罩223的升降。遮罩223与载盘11匹配，便于恰好罩于载盘11上，本实施例中载盘11和遮罩223的形状可为圆形、方形或其他不规则形，本实施例中两者均优选为圆形;遮罩223的材料可选用金属、塑料等。为了实现第二腔体20在真空腔体和非真空腔体之间的切换，第二腔体20的底部具有供气体进出的进气孔23和出气孔24，进气孔23与氮气等气体供应系统(图中未示出)连接，出气孔24与真空系统25连接。当第二腔体20需真空环境时，真空系统25将第二腔体20内气体抽走，使第二腔体20形成真空腔体;而当第二腔体20需非真空环境时，气体供应系统将氮气等(如图3中箭头所示)通过进气孔23注入第二腔体20内，使第二腔体20破气，由真空环境向非真空环境切换，形成非真空腔体。由于传统的进气孔23靠近载盘11，当第二腔体20破气时，气体直接吹向载盘11，产生较强的气流，进而产生扬尘，使扬尘中的脏污污染基片。因此，本实施例中，将进气孔23设置于远离载盘11的位置，并且在进气孔23的上方增设栅网231，从而实现在破气时减小气流，防止扬尘，保护基片的目的。参看附图4，遮罩223包括遮板2231和沿遮板2231周边向下延伸的侧板2232。侧板2232上具有复数个供气体进出以平衡遮罩223内外压强的筛孔22320。筛孔22320均匀分布或者不均匀分布，本实施例中优选筛孔22320均匀分布于侧板2232上。筛孔22320的直径尽可能小，防止较大颗粒的脏污进入。气体通过筛孔22320进入遮罩223内，使遮罩223内外的气压平衡，防止随后遮罩223无法移动。本技术通过在第二腔体内增设遮罩装置，当第二腔体由真空环境向非真空环境切换破气时，遮罩装置中的遮罩下降并恰好罩于载盘上，保护载盘上的基片，防止破气时进入腔体的气体中的脏污对载盘上基片的污染；另外，将第二腔体的进气孔设置于远离载盘的位置，并在进气孔上方增设栅网，同样防止扬尘产生，避免破气时对本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体刻蚀设备,用于对基片进行等离子体刻蚀，至少包括：承载复数个基片的载盘、放置复数个载盘的第一腔体、传送所述载盘的第二腔体、以及刻蚀所述基片的第三腔体，所述第一腔体、第二腔体和第三腔体分别通过自由开关的隔板连接，通过控制所述隔板开关状态，实现所述第一腔体、第二腔体和第三腔体的连通或隔离；所述第二腔体内设置有传送装置，用于在第一腔体和第三腔体之间传送所述载盘；第一腔体为非真空腔体、第三腔体为真空腔体、而第二腔体在真空腔体和非真空腔体之间切换；其特征在于：所述第二腔体内于所述载盘上方还设置一遮罩装置，当所述遮罩装置罩于所述载盘上时，保护所述载盘上的基片免受污染。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：魏永吉，徐翊翔，刘加云，刘超超，
申请(专利权)人：安徽三安光电有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34