离子收集器、等离子体系统的控制方法及处理基板的方法技术方案

一种离子收集器、等离子体系统的控制方法及处理基板的方法，离子收集器包含多个区段及多个积分器。多个区段与彼此实体隔离且围绕基板支撑件设置。每一区段包含导电元件，此导电元件用以传导因来自于等离子体的离子所产生的电流。每一个积分器耦接至对应的导电元件。积分器设计以决定对应的导电元件的离子分布，离子分布的决定至少基于导电元件所传导的电流。离子收集器可用以提高一或多个晶圆的均匀性测量结果的准确度，从而产生更佳的系统控制及更高的装置产率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种等离子体系统。
技术介绍
等离子体系统常用于工业中执行多种半导体工艺。例如，等离子体系统已经用以清理晶圆表面的污染、沉积材料层、用于蚀刻、用于离子布植，及用于等离子体掺杂。数百个晶圆可在给定一日内经受给定的工艺步骤。因此，等离子体系统的任何状况或是问题皆会对每一晶圆的良好芯片数目具有显著影响。测量等离子体中离子数目的特殊检测器(有时被称作剂量计)可用以测量工艺期间的等离子体离子分布。可监测离子分布以决定是否需要令等离子体系统离线以便进行重新调整。
技术实现思路
本专利技术的一实施方式为一种等离子体系统的控制方法，包含决定在一基板支撑件周围的多个可单独测量位置处的离子分布；比较在至少两个可单独测量位置测得的离子分布；以及若至少两个可单独测量位置测得的离子分布之间的差异大于临限值，则调整等离子体系统的参数。本专利技术的另一实施方式为一种使用等离子体处理基板的方法，包含将基板设置于等离子体腔室内的支撑件上；向基板施加一偏压；使用等离子体系统以在等离子体腔室内产生等离子体；引导来自等离子体的离子前往基板；在彼此实体相隔离且围绕支撑件间隔设置的多个区段处收集离子中的至少一些离子，其中每一区段包含一导电元件，导电元件配置以传导因接收自等离子体的离子而产生的电流；以及至少根据在对应的导电元件传导的电流而决定所对应的导电元件的离子分布。本专利技术的又一实施方式为一种离子收集器，包含多个区段，彼此实体相隔离且围绕基板支撑件间隔设置，其中每一区段包含导电元件，导电元件配置以传导因接收自等离子体的离子而产生的电流；以及多个积分器，每一积分器耦接至对应的导电元件，其中每一积分器配置以至少根据在对应的导电元件处的传导电流来决定所对应的导电元件的离子分布。以下结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细描述，但不作为对本专利技术的限定。附图说明为让本专利技术的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附的附图的详细说明如下。应注意，依据工业中的标准实务，多个特征并未按比例绘制。实际上，多个特征的尺寸可任意增大或缩小，以便使论述明晰。图1A及图1B分别为依据一些实施例的晶圆载物台俯视示意图与剖视示意图，此载物台具有整合的离子收集器；图2为依据一些实施例对离子收集器的区段进行的连接的电路示意图；图3为依据一些实施例的控制系统的示意图；图4A至图4C分别为依据一些实施例的另一晶圆载物台的俯视示意图与剖视示意图，此载物台具有整合的离子收集器；图5为依据一些实施例的控制系统的示意图；图6为依据一些实施例的范例方法的流程图；图7为于一些实施例的范例等离子体腔室的示意图；图8为依据一些实施例的范例方法的流程图；图9A与图9B为依据一实施例的鳍式场效晶体管装置于一工艺的不同视角的横剖视视图；图10A与图10B为依据一实施例的鳍式场效晶体管装置于另一工艺的不同视角的横剖视视图；图11为依据一实施例的鳍式场效晶体管装置于另一工艺的横剖视视图；图12为依据一实施例的鳍式场效晶体管装置于另一工艺的横剖视视图；图13为依据另一实施例的鳍式场效晶体管装置的横剖视视图。其中，附图标记100载物台系统102支撑件104晶圆106a区段106b区段106c区段106d区段106e区段106f区段106g区段106h区段112导电元件114电流116磁性元件202积分器202a积分器202b积分器202c积分器202d积分器202e积分器202f积分器202g积分器202h积分器300控制系统302控制器304步骤306步骤308区段310积分器400载物台系统401导电元件402覆盖物404窗口500控制系统502控制器504步骤506步骤510积分器512位置数据600方法602步骤604步骤606步骤608步骤610步骤612步骤700反应器702高频产生器704低频产生器706阻抗匹配网路708歧管710源气体管线712入口714喷淋头716基板718晶圆载物台720加热器组件722出口724处理腔室726真空泵728系统控制器800方法802步骤804步骤806步骤808步骤810步骤/圆盘812步骤901介面902基板903介面904鳍片905绝缘区域906介电层906'介电层907功函数层908栅极层908'栅极层910栅极结构910'栅极结构911介面913介面1002等离子体1004区域1102图案化间隔物1202等离子体1204掺杂区域具体实施方式以下揭示内容提供众多不同的实施例或范例以用于实施本专利技术提供的标的物的不同特征。下文中描述组件及排列的特定范例以简化本专利技术。此些组件及排列仅为范例，及不意欲进行限制。例如，在下文的描述中，第一特征在第二特征上方或之上的形成可包含其中第一特征与第二特征以直接接触方式形成的实施例，及亦可包含其中在第一特征与第二特征之间形成额外特征以使得第一特征与第二特征无法直接接触的实施例。此外，本专利技术在多个范例中可重复元件符号及/或字母。此重复用于实现简化与明晰的目的，及其自身并不规定所论述的多个实施例及/或配置之间的关系。此外，本专利技术中可使用诸如「下方(beneath)」、「以下(below)」、「下部(lower)」、「上方(above)」、「上部(upper)」等等的空间相对术语在以便于描述，以描述一个元件或特征与另一或更多个元件或特征的关系，如附图中所图示。空间相对术语意欲包含在使用或操作中的装置除附图中绘示的定向以外的不同定向。或者，设备可经定向(旋转90度或其他定向)，及本专利技术中使用的空间相对描述词同样可相应地进行解释。应注意，本说明书中对「一个实施例(oneembodiment)」、「一实施例(anembodiment)」、「一范例实施例(anexampleembodiment)」等等的引用指示所述实施例可包含特定特征、结构或特性，但每一实施例可并非必须包含此特定特征、结构，或特性。此外，此些短语未必是指相同实施例。此外，当结合一实施例描述特定特征、结构或特性时，将符合熟习此项技术者的知识范围，以结合无论明确描述与否的其他实施例而使此种特征、结构或特性产生效用。图1A为根据一实施例的载物台系统100的俯视示意图。图1B为沿线A'-A'截取的载物台系统100的横剖视。载物台系统100包含支撑件102，此支撑件102设计以支撑晶圆104。支撑件102可包含用于微影系统中的任一材料，如熟悉此项技术的人员所知晓。例如，用于支撑件102的常用材料是钢。支撑件102可包含真空系统以用于将晶圆104固持定位。在另一实施例中，支撑件102包含静电卡盘，以经由施加电势而将晶圆104挟持定位。根据一实施例，支撑件102包含围绕晶圆104外侧的沟槽状开口。每一沟槽状开口包含离子收集器的区段106a-106h。应理解，本专利技术中区段106a的描述亦可适用于任一其他区段。每一区段106a-106h可藉由壁108而实体隔离。每一区段106a-106h亦可藉由置于区段之间的绝缘材料或高介电常数介电材料而彼此电绝缘。区段的总数目及排列可改变。例如，任何数目的区段可如图所示以圆形图案而排列，每一区段藉由壁108而彼此隔离。区段排列并非限定于图示的圆形图案。例如，区段可以任一形状或配置排列，只要此些区本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体系统的控制方法，其特征在于，包含：决定在一基板支撑件周围的多个能够单独测量位置处的离子分布；比较在至少两个该些能够单独测量位置测得的离子分布；以及若至少两个该些能够单独测量位置测得的离子分布之间的差异大于一临限值，则调整该等离子体系统的参数。

【技术特征摘要】
2015.09.10 US 14/850,6231.一种等离子体系统的控制方法，其特征在于，包含：决定在一基板支撑件周围的多个能够单独测量位置处的离子分布；比较在至少两个该些能够单独测量位置测得的离子分布；以及若至少两个该些能够单独测量位置测得的离子分布之间的差异大于一临限值，则调整该等离子体系统的参数。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该决定的步骤包含：在每一该些能够单独测量位置处传导一电流；以及至少根据该传导电流而决定每一该些能够单独测量位置的离子分布。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该调整的步骤包含调整该基板支撑件的一偏压。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该调整的步骤包含调整一等离子体源的一或多个设定，该等离子体源产生一等离子体。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，更包含若至少两个该些能够单独测量位置测得的离子分布之间的差异大于一第二临限值，则关闭该等离子体系统。6.一种使用等离子体处理基板的方法，其特征在于，包含：将该基板设置于一等离子体腔室内的一支撑件上；向该基板施加一偏压；使用一等离子体系统以在该等离子体腔室内...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈嘉任，吴奇颖，陈嘉直，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71