【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种等离子体刻蚀方法，包括步骤：提供半导体基底，所述半导体基底包括图形化的待刻蚀结构；执行一次或多次制程循环步骤，所述制程循环步骤包括：有偏置功率的刻蚀步骤和没有偏置功率的刻蚀步骤。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李俊良，杨俊，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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