干刻蚀装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种干蚀刻装置，相比于现有的干蚀刻装置，通过增加位于承受离子轰击的边缘保护板(71)下方的环形保护板(72)的厚度，或降低位于承受离子轰击的边缘保护板(71)下方的环形保护板(72)的材料的介电常数，利用基尔霍夫分压定律使得边缘保护板(71)表面的鞘层电压降低，从而能够减弱离子对边缘保护板(71)的轰击作用，延长边缘保护板(71)的使用寿命，增加干刻蚀装置的正常工作时间，减少维护成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种干刻蚀装置。
技术介绍
随着信息社会的发展，人们对显示设备的需求得到了增长，因而也推动了液晶面板行业的快速发展，面板的产量不断提升。蚀刻是制造薄膜晶体管液晶显示装置(ThinFirm Transistor Liquid Crystal Display，TFT_LCD)阵列基板过程中的一个重要制程。蚀刻工艺根据蚀刻剂的物理状态分为干蚀刻工艺和湿蚀刻工艺，干蚀刻工艺利用蚀刻气体进行蚀刻，湿蚀刻工艺利用蚀刻液体进行蚀刻。如图1所示，现有的干蚀刻装置通常包括:真空腔(未图示)、设于所述真空腔内的上电极板(未图示)、与上电极板相对间隔设置的下电极板1、位于所述下电极板I下方用于承载下电极板I的绝缘板2、设于所述下电极板I上的静电吸附平台3、位于上、下电极板I之间的等离子体(Plasma)真空放电区(未图示)、及与上、下电极板相连的电源(未图示)，利用等离子体真空放电区内的高压电场互相作用所产生的等离子体来对设于静电吸附平台3上的晶元或玻璃基板4进行蚀刻。由于当下电极板I和待蚀刻晶元或基板4的尺寸一样大小时，会导致待蚀刻晶元或基板4的边缘上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种干蚀刻装置，其特征在于，包括：真空腔(10)、设于所述真空腔(10)内的绝缘板(20)、设于所述绝缘板(20)上的下电极板(30)、设于所述下电极板(30)上用于承载待蚀刻基板(50)的静电吸附平台(40)、与所述下电极板(30)相对间隔设置的上电极板(60)、与静电吸附平台(40)上表面平齐的边缘保护板(71)、及设于边缘保护板(71)与下电极板(30)之间、遮蔽下电极板(30)与静电吸附平台(40)外缘周边的环形保护板(72)；所述边缘保护板(71)至少完全覆盖环形保护板(72)；所述边缘保护板(71)与环形保护板(72)均绝缘；所述环形保护板(72)的厚度大于22mm或所述环形保护板...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：肖文欢，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42